紅魔電競平板評測：大屏幕硬實力
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譽鴻錦半導體近日宣布，其位于江西省撫州市高新技術產業區的二期產業園項目已成功舉行主體結構封頂儀式，標志著該公司氮化鎵Super IDM全產業鏈的布局和建設取得了重大進展。
譽鴻錦半導體是江西譽鴻錦芯片科技有限公司投資興建的產業園項目，項目以氮化鎵芯片的研發與制造為核心，涵蓋半導體產業鏈上游的設備材料到下游的終端應用，全面打造Super IDM產業集群。該項目位于江西省撫州市高新技術產業區，總建筑面積達到約26.2萬平方米，預計首條批量生產線將于2024年底前建成，月產能達到6-7萬片。當項目全部建成投產后，每月產能將擴大至25萬片，使其成為全球最大的氮化鎵IDM工廠。
在項目建設方面，譽鴻錦半導體將廣泛應用自研和國產半導體設備，包括MOCVD、蝕刻機等關鍵設備。據悉，譽鴻錦自研的MOCVD設備已經成功上線并進入最后的調試階段。通過中試線的成熟生產工藝調整，預計后續建設、調試和量產將以極快的速度進行，有望大幅度降低生產成本、提高效率。此外，譽鴻錦還計劃引入十多臺光刻機，將陸續在未來兩年交付，并全部應用于二期產業園的生產線。
譽鴻錦半導體的二期產業園項目將為中國半導體產業的發展注入新的活力，不僅有望提升國內氮化鎵芯片的生產能力，還將加速本土半導體產業鏈的完善。這一進展對于推動中國在半導體領域的自主創新和全球競爭力的提升具有積極的意義。
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