據報道，清華大學集成電路學院王曉紅團隊在高頻超級電容器動態響應極限研究中取得重要進展。該研究通過實驗首次定量測量了超級電容器動態響應頻率的上限，為解決集成電路供電密度難題提供了新思路。
研究團隊采用微納加工技術構建了無孔隙結構的絕對平面理想電極，并通過寄生電容屏蔽層及外部鎖相環放大等方法消除干擾，精確測定了超級電容器動態響應頻率的上界。在此基礎上，團隊提出了“介電-電化學”非對稱電容器概念。該器件在低頻段以電化學效應為主，高頻段則以介電效應為主，實現了頻率響應和電容密度的雙重突破。
基于這一概念制備的微型超級電容器芯片特征頻率突破1MHz，較商用超級電容器高出六個數量級，覆蓋主流電源電路工作頻段。這一成果為高密度立體三維供電提供了技術支撐。
近年來，王曉紅教授團隊系統開展高頻超級電容器動態機制、晶圓加工方法與芯片集成技術的研究。團隊此前成功解決了電化學器件與半導體器件工藝不兼容的難題，建立了CMOS兼容的晶圓級全流程加工體系，研制出世界首枚集成電化學電源整流濾波芯片。

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