Find N3入網(wǎng)：最高支持16+1TB
OPPO將于近期登場的Find N3折疊屏目前已經(jīng)正式入網(wǎng)，型號為PHN110。本次Find N3在外觀方面相比前兩代有很大的變化，不再是小號的橫向折疊屏，而是跟別的廠商一樣采用了較為常見的
作為半導(dǎo)體存儲器最大細分領(lǐng)域，DRAM的發(fā)展迭代一直是市場焦點。在存儲器逆風(fēng)之下，原廠仍然在持續(xù)發(fā)力技術(shù)研發(fā)，近期三星傳來佳音。與此同時，由于需求持續(xù)低迷，存儲器供給與需求仍是市場關(guān)注焦點，近期業(yè)界機構(gòu)TrendForce集邦咨詢也對2023年以及2024年存儲器市場給出了預(yù)測。
2023年9月1日，三星電子宣布該公司已采用12納米（nm）級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，并計劃于今年年底開始量產(chǎn)。
據(jù)三星介紹，通過使用最新開發(fā)的32Gb內(nèi)存顆粒，即使不使用硅通孔（TSV）工藝也能夠生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組，該產(chǎn)品與使用16Gb內(nèi)存封裝的128GB內(nèi)存模組相比，功耗降低了約10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數(shù)據(jù)中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。
1983年，三星開發(fā)出首款64 Kb DRAM，在過去40年里，該公司已成功將其DRAM容量提高了50萬倍。三星表示，公司計劃以12納米級32Gb DDR5 DRAM為基礎(chǔ)，繼續(xù)擴充大容量DRAM產(chǎn)品陣容，以滿足高性能計算和IT行業(yè)持續(xù)增長的需求。
三星強調(diào)，通過向數(shù)據(jù)中心以及需要人工智能和下一代計算等應(yīng)用的客戶提供12納米級32Gb DRAM，公司希望鞏固其在下一代內(nèi)存市場的前沿地位。未來，該產(chǎn)品還將在公司與其他主要行業(yè)參與者的長期合作中發(fā)揮重要作用。
三星電子存儲器事業(yè)部內(nèi)存開發(fā)組執(zhí)行副總裁SangJoon Hwang表示：在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，三星可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案，這有助于滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時代對于大容量DRAM內(nèi)存日益增長的需求。
2023年已過去一大半，半導(dǎo)體存儲器的復(fù)蘇問題仍是市場關(guān)注的焦點。據(jù)TrendForce集邦咨詢8月30日研究指出，預(yù)期2024年存儲器原廠對于DRAM與NAND Flash的減產(chǎn)策略仍將延續(xù)，尤其以虧損嚴重的NAND Flash更為明確。TrendForce集邦咨詢預(yù)估，在2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，通用型服務(wù)器的資本支出仍受到AI服務(wù)器排擠而顯得相對需求疲弱，有鑒于2023年基期已低，加上部分存儲器產(chǎn)品價格已來到相對低點，預(yù)估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13.0%及16.0%。
TrendForce集邦咨詢表示，不過，盡管需求位元有回升，明年若要有效去化庫存，并回到供需平衡狀態(tài)，重點還是仰賴供應(yīng)商對于產(chǎn)能有所節(jié)制，若供應(yīng)商產(chǎn)能控制得宜，存儲器均價則有機會反彈。
今年DRAM領(lǐng)域中HBM的逆勢增長給予了產(chǎn)業(yè)發(fā)展信心。隨著人工智能推動高性能GPU需求暴漲，提高HBM產(chǎn)品的滲透力，未來HBM的產(chǎn)能供給如何？
據(jù)TrendForce集邦咨詢8月9日最新報告指出，存儲器原廠在面臨英偉達以及其他云端服務(wù)業(yè)者（CSP）自研芯片的加單下，試圖通過加大TSV產(chǎn)線來擴增HBM產(chǎn)能。從目前各原廠規(guī)劃來看，預(yù)估2024年HBM供給位元量將年增105%。不過，考慮到TSV擴產(chǎn)加上機臺交期與測試所需的時間合計可能長達9~12個月，因此TrendForce集邦咨詢預(yù)估多數(shù)HBM產(chǎn)能要等到明年第二季才有望陸續(xù)開出。
集邦咨詢表示，觀察HBM供需變化，2022年HBM供給無虞，2023年受到AI需求突爆式增長導(dǎo)致客戶的預(yù)先加單，即便原廠擴大產(chǎn)能但仍無法完全滿足客戶需求。展望2024年，TrendForce集邦咨詢認為，基于各原廠積極擴產(chǎn)的策略，HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望獲改善，預(yù)估將從2023年的-2.4%，轉(zhuǎn)為0.6%。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
本文鏈接：http://m.www897cc.com/showinfo-27-7158-0.html三星官宣DRAM迎新突破，存儲器未來市況如何？
聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權(quán)所有 sitemap.xml
違法及侵權(quán)請聯(lián)系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網(wǎng)安備 12010102000574號