小米官宣：2023年上半年出貨量中國(guó)第一！
今日早間，小米電視官方微博帶來(lái)消息，稱(chēng)2023年小米電視上半年出貨量達(dá)到了中國(guó)第一，同時(shí)還表示小米電視的巨屏風(fēng)暴即將開(kāi)始。“公布一個(gè)好消息2023年#小米電視上半年出貨量中國(guó)
森國(guó)科在2021年就投入SiC MOSFET的研發(fā)，采用了最新的第三代平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，這次新產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色，完美滿足大功率充電模塊、光伏逆變器以及大功率儲(chǔ)能等中高壓系統(tǒng)的需求。
森國(guó)科表示，他們的1200V SiC MOSFET具有更好的BV & Rdson trade off，在降低Rds（on）方面做了很多工作。
相對(duì)而言，平面柵SiC MOSFET工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，可靠性更高，然而受溝道電阻和JFET電阻影響Rds（on）較大。在SiC MOSFET的通態(tài)損耗中，Rds（on）占比約達(dá)42.5%，尤其是在高頻工作頻率下，Rds（on）是SiC MOSFET性能好壞的關(guān)鍵因素，直接決定芯片的開(kāi)關(guān)效率，進(jìn)而影響系統(tǒng)效率。
為了降低SiC MOSFET的Rds（on），縮小元胞尺寸，森國(guó)科主要采用3種領(lǐng)先技術(shù)，包括：通過(guò)溝道自對(duì)準(zhǔn)工藝，縮短溝道長(zhǎng)度，降低溝道電阻；優(yōu)化芯片工藝制程、優(yōu)化歐姆接觸工藝來(lái)降低Rds（on）；通過(guò)超薄晶圓技術(shù)降低襯底厚度，降低Rds（on），并且提升浪涌能力。
數(shù)據(jù)對(duì)比顯示，森國(guó)科1200V/80mΩ SiC MOSFET的Rds（on）典型值為72mΩ，IDSS和IGSS等參數(shù)也遠(yuǎn)低于其他國(guó)際大廠，達(dá)到國(guó)際一流水平。
森國(guó)科第三代SiC MOSFET與國(guó)際大廠的對(duì)比
此外，在可靠性方面，森國(guó)科SiC MOSFET嚴(yán)格按照工業(yè)級(jí)和車(chē)規(guī)級(jí)的可靠性測(cè)試要求進(jìn)行，順利通過(guò)了1000小時(shí)的可靠性測(cè)試。
同時(shí)，森國(guó)科SiC MOSFET在易用性方面也進(jìn)行了優(yōu)化，可以在更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍內(nèi)工作，能夠滿足工程師對(duì)15V柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)需求。
相較于其他的20V柵壓SiC MOSFET產(chǎn)品，15V的產(chǎn)品具有更好的兼容性，能夠更好地兼容硅基IGBT驅(qū)動(dòng)電路，而且也有利于采用國(guó)產(chǎn)15V驅(qū)動(dòng)芯片，擴(kuò)大驅(qū)動(dòng)器件的選擇面，有助于降低系統(tǒng)成本。
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新款SiC MOSFET模塊
簡(jiǎn)單、易用、更高效
此外，森國(guó)科還重點(diǎn)介紹了新的SiC MOSFET模塊。
為了更好地滿足客戶需求，在上一代原有封裝產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，森國(guó)科新增了3款碳化硅模塊（KC006F12W2M1、KC011F12W1M1以及KC017Z12J1M1），其導(dǎo)通電阻分別為6mΩ、11mΩ、17mΩ，工作結(jié)溫高達(dá)175℃。
并且新的碳化硅模塊采用了典型的Easy 1B、Easy 2B以及SOT-227封裝，可在簡(jiǎn)單易用的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)效率最佳化，有助于工程師開(kāi)發(fā)出更小更緊湊的外形尺寸、擴(kuò)展性更好的電源系統(tǒng)，并向最終用戶提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠、高功率密度的解決方案。
Easy1B/2B封裝通過(guò)改善引腳位置，可確保短且無(wú)干擾的換流回路，以減少模塊雜散電感，也提高了芯片的熱傳導(dǎo)性能。SOT-227介于單管和模塊之間，是功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)方向之一，優(yōu)勢(shì)包括小體積、設(shè)計(jì)靈活度等，在應(yīng)用于空間要求高或結(jié)構(gòu)布局特殊的拓?fù)鋾r(shí)特別有優(yōu)勢(shì)。
2大工廠、4大優(yōu)勢(shì)：
森國(guó)科獲300+客戶青睞
憑借在碳化硅功率器件領(lǐng)域的積累，同時(shí)秉承著“做最合適的功率器件”的理念，森國(guó)科已經(jīng)在碳化硅行業(yè)脫穎而出。截止到目前，森國(guó)科合作的客戶超過(guò)300多家，碳化硅產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器、礦機(jī)電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源、充電樁電源模塊等多個(gè)領(lǐng)域。
前段時(shí)間，森國(guó)科實(shí)現(xiàn)了半年新增百余家客戶的成績(jī)，這主要得益于他們?cè)诙鄠€(gè)方面的不懈努力和默默耕耘。
首先，森國(guó)科專(zhuān)注碳化硅精品研發(fā)。據(jù)介紹，他們團(tuán)隊(duì)一直以來(lái)遵循研發(fā)創(chuàng)新的長(zhǎng)期主義，以拙勁鉆研產(chǎn)品和技術(shù)，突破關(guān)鍵技術(shù)后，就能迅速將產(chǎn)品系列化。而且他們也非常注重研發(fā)投入。據(jù)透露，森國(guó)科的研發(fā)人員占比超過(guò)70%，研究生以上學(xué)歷占比50%。
其次，充足的產(chǎn)能供應(yīng)能力。在代工流片上，森國(guó)科已與國(guó)內(nèi)外多家著名的FAB廠達(dá)成緊密的合作關(guān)系，例如X-FAB 6吋線和積塔半導(dǎo)體6吋線，這些合作FAB廠在碳化硅晶圓制造領(lǐng)域擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，工藝穩(wěn)定，代工的器件良率較高，可以給客戶提供更好的產(chǎn)能和品質(zhì)保障。
森國(guó)科SiC全球布局代工廠
第三，森國(guó)科還建立了完善且嚴(yán)格的質(zhì)量管理體系。
森國(guó)科致力于為客戶提供最可靠的碳化硅MOSFET、模塊產(chǎn)品，他們?cè)谔蓟栊酒纳a(chǎn)過(guò)程中實(shí)施了嚴(yán)格的質(zhì)量控制措施。失效分析、可靠性驗(yàn)證等環(huán)節(jié)貫穿整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程；在產(chǎn)品驗(yàn)證環(huán)節(jié)，確保通過(guò)GMW3172/VW8000等認(rèn)證測(cè)試，獲得車(chē)廠等客戶的認(rèn)可。
此外，在提升產(chǎn)品可靠性方面，森國(guó)科還加強(qiáng)了實(shí)驗(yàn)室的建設(shè)，在內(nèi)部實(shí)驗(yàn)室就可以參照J(rèn)EDEC 標(biāo)準(zhǔn)完成所有的測(cè)試驗(yàn)證，包括雙85的測(cè)試驗(yàn)證。
森國(guó)科SiC完善的品控流程
再者，森國(guó)科還建立了快速的市場(chǎng)響應(yīng)及服務(wù)機(jī)制。
森國(guó)科在繼續(xù)深耕國(guó)產(chǎn)SiC市場(chǎng)的過(guò)程中，不僅專(zhuān)注為客戶提供多樣化的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，還始終致力于推行以客戶為中心的營(yíng)銷(xiāo)服務(wù)體系，通過(guò)打造“產(chǎn)品+服務(wù)”的模式，快速響應(yīng)市場(chǎng)及客戶需求。
森國(guó)科快速的市場(chǎng)響應(yīng)及服務(wù)
接下來(lái)，森國(guó)科會(huì)致力于將SiC MOSFET的系列化，包括650V系列、1200V系列、1700V系列，并針對(duì)客戶需求推出更多的碳化硅模塊產(chǎn)品。未來(lái)，森國(guó)科也將持續(xù)加強(qiáng)自主創(chuàng)新，加速產(chǎn)品迭代升級(jí)，開(kāi)發(fā)更多符合市場(chǎng)需求的產(chǎn)品，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù)。
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