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長鑫存儲（CXMT），一家專注于DRAM芯片制造的公司，于第69屆IEEE國際電子元件年會（IEDM）上披露了其在3納米級芯片上的環繞式閘極結構（GAA）技術。盡管尚未提供樣品產品，但該公司在下一代內存芯片生產方面的進展引起了業內的廣泛關注。
長鑫存儲的這一技術突破被認為是在受到美國出口限制的技術領域取得的重要成就。分析師指出，這對于中國來說是一次打破美國制裁的進展，特別是在電子設計自動化（EDA）軟件受到限制的情況下，這表明中國在先進3納米制程設計和制造方面展現了韌性。
該公司強調，論文中描述的技術進展仍處于基礎研究階段，與其當前的生產工藝無關。然而，這一進展為中國半導體產業帶來了新的希望，特別是在與先進技術相關的領域。
GAA技術的應用被認為對下一代邏輯芯片的開發至關重要，因為它可以實現晶體管的持續微縮，從而在集成電路上封裝更多的晶體管。雖然目前全球代工廠如臺積電和三星在這方面領先，但中國的長鑫存儲正在迎頭趕上。
在當前全球技術競爭激烈的背景下，中國企業的突破顯示出其在科技創新和自主研發方面的雄心。長鑫存儲的成功不僅對中國半導體行業具有重要意義，也在全球半導體產業中引起了關注，為中國在技術創新方面走向自給自足鋪平了道路。
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