使用LLM插件從命令行訪問Llama 2
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三星電子（Samsung Electronics）正在布局人工智能（AI）手機領域，計劃在2024年春季旗艦機Galaxy S24上首次搭載低延遲帶寬DRAM（LLW DRAM）。這項新技術有望大幅提升手機的數據處理能力和效率，從而推動AI技術在手機領域的應用。
據了解，LLW DRAM是一種通過增加輸入/輸出（I/O）端子數量來提高數據處理能力的DRAM產品。與傳統的DRAM相比，LLW DRAM具有更低的延遲和更高的帶寬，可以更好地滿足AI計算的需求。此外，LLW DRAM的電源使用效率也提高了70%，使得它非常適合用于智能終端技術。
智能終端技術是一種在終端直接處理AI演算的技術，可以實現AI功能，有助于保護用戶的個人數據隱私。隨著智能手機的日益普及和AI技術的不斷發展，智能終端技術已經成為手機領域的一個重要趨勢。
三星電子在2023年10月的三星存儲器技術日上簡要介紹了LLW DRAM，并在隨后的11月底通過Samsung Semiconductor帳號在社交平臺X上上傳了LLW DRAM的介紹視頻。從這些信息來看，三星很有可能在Galaxy S24上搭載LLW DRAM，以提升手機的數據處理能力和效率。
此外，三星還計劃在2024年1月17日在美國圣荷西舉行Galaxy Unpack活動，除了發布Galaxy S24系列外，還將公布包括Galaxy Book 4系列在內的其他新產品。三星還曾在2023年第3季財報電話會議上透露，將在2024年開始在Galaxy手機上采用智能終端技術。這些舉措都表明三星正在積極布局AI手機領域，以搶占市場先機。
三星電子的成功很大程度上得益于其不斷的技術創新和研發能力。通過在DRAM技術上的持續投入和研發，三星已經取得了重要的進展，并計劃將這些新技術應用到其旗艦產品中。未來，隨著AI技術的不斷發展和普及，我們有理由相信三星將繼續致力于推動AI技術在手機領域的應用和發展。
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