把LangChain跑起來的三個方法
使用LangChain開發LLM應用時，需要機器進行GLM部署，好多同學第一步就被勸退了，那么如何繞過這個步驟先學習LLM模型的應用，對Langchain進行快速上手？本片講解3個把LangChain跑起來
在半導體領域，牛津儀器（Oxford Instruments）日前宣布其旗下用于GaN HEMT器件生產的等離子原子層沉積（ALD）和原子層蝕刻（ALE）設備已贏得多家日本代工廠的大量訂單，標志著GaN技術迎來了一次新的突破。
這一系列設備將為GaN電力電子和射頻市場提供支持，特別是在消費類快速充電和數據中心應用方面。Oxford Instruments的ALD技術以高通量、低損傷的等離子處理而著稱，主要服務于GaN HEMT器件制造商。
該公司的p-GaN HEMT的ALE解決方案已通過生產認證，利用Etchpoint技術實現低損傷蝕刻，提高器件可靠性。這一技術不僅可自動切換處理模式，還能以高精度實現AlGaN凹槽蝕刻，為下一代GaN MISHEMT E-mode器件功能打下基礎。
據牛津儀器GaN產品經理Aileen O’Mahony透露，ALD設備的應用使得GaN HEMT產量在日本電力電子和射頻市場大幅提升，為公司帶來豐厚回報。該公司致力于提供完整的GaN HEMT解決方案，提高設備產量、可靠性和正常運行時間。
GaN作為第三代半導體材料，表現出色，尤其在電力電子和射頻通信領域。據TrendForce集邦咨詢預估，全球GaN功率元件市場規模將在未來數年內迎來快速增長。牛津儀器的ALD設備將為高性能、高可靠性和高效率的GaN功率器件的實現提供強有力的支持，推動GaN技術在電力電子和射頻通信領域的廣泛應用。
本文鏈接：http://m.www897cc.com/showinfo-27-35121-0.html牛津儀器宣布獲得多家日企代工廠GaN大單
聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權所有 sitemap.xml
違法及侵權請聯系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網安備 12010102000574號