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美光與長江存儲因8項專利侵權(quán)問題陷入爭端

來源：責(zé)編：時間：2023-11-15 16:22:57 334觀看

導(dǎo)讀近日，長江存儲與美光芯片之爭再度升級。美國加州北區(qū)地方法院于9日收到長江存儲對美光科技提起的訴訟，指責(zé)美光侵犯了長江存儲的8項與3D NAND相關(guān)的美國專利。在這場官司中，長江存儲所提及的美國專利包括US10,950,623（涉

近日，長江存儲與美光芯片之爭再度升級。美國加州北區(qū)地方法院于9日收到長江存儲對美光科技提起的訴訟，指責(zé)美光侵犯了長江存儲的8項與3D NAND相關(guān)的美國專利。

在這場官司中，長江存儲所提及的美國專利包括US10,950,623（涉及3D NAND內(nèi)存件及其形成方法）、US11,501,822（與非易失性存儲裝置及控制方法相關(guān)）、US10,658,378（涉及三維內(nèi)存件的直通陣列接觸（TAC））、US10,937,806（與3D內(nèi)存件的直通陣列接觸（TAC）相關(guān)）、US10,861,872（關(guān)于三D內(nèi)存件及其形成方法的專利）、US11,468,957（針對NAND內(nèi)存操作體系結(jié)構(gòu)和方法的專利）、US11,600,342（與三D維閃存的讀取方法相關(guān)）、US10,868,031（涉及多層堆疊三D內(nèi)存件及其制造方法的專利）。

長江存儲在訴狀中聲稱，美光的128層、176層等多系列3D NAND產(chǎn)品均侵犯了長江存儲的8項專利。他們指責(zé)美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用長江存儲的專利技術(shù)，以便與長江存儲競爭，捍衛(wèi)市場份額，卻違背了長江存儲的利益，阻礙了創(chuàng)新的推動力。

隨著近年來3D NAND技術(shù)層疊達(dá)到128層甚至更高，周邊CMOS電路占據(jù)的芯片面積可能超過50%。為解決這一問題，長江存儲在2018年推出了自家研發(fā)的Xtacking技術(shù)。

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