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ictines消息，在DRAM和NAND Flash市場反彈之后，DDR3利基型存儲在國際大廠對高頻寬存儲（HBM）和DDR5等高端應(yīng)用的全力沖擊下，空出了DDR3市場，從而推動了DDR3芯片價格的短期快速上漲。
預(yù)計本季度合約價將強(qiáng)勁增長10%至15%，而明年第一季度將繼續(xù)看漲。華邦、鈺創(chuàng)、晶豪科等廠商近期收到了大量訂單，并開始加大備貨力度，以抓住漲價帶來的商機(jī)。
據(jù)法人指出，盡管標(biāo)準(zhǔn)型DRAM和NAND芯片目前主要由三星、SK海力士、美光等國際大廠主導(dǎo)，但中國臺灣廠商在芯片制造端無法與它們抗衡。然而，模組廠有望以低價庫存優(yōu)勢搭上DRAM和NAND芯片市場反彈的列車。而在DDR3制造方面，則是中國臺灣廠商的天下。隨著DDR3價格上漲，對中國臺灣芯片廠商的幫助更大。
業(yè)界人士分析，這波存儲市場轉(zhuǎn)揚的主要原因是國際大廠陸續(xù)減產(chǎn)的效益發(fā)酵。近期隨著產(chǎn)能緊縮，廠商更嚴(yán)格控制出貨，以支撐價格上漲的決心。
另外，三星、SK海力士和美光都在積極拓展AI應(yīng)用領(lǐng)域，將主要生產(chǎn)能力轉(zhuǎn)移到生產(chǎn)高頻寬芯片、DDR5等高端產(chǎn)品上。這也為DDR3市場創(chuàng)造了空間，近期客戶庫存回補(bǔ)以及消費性電子產(chǎn)品的緊急訂單使得DDR3價格持續(xù)上漲。
鈺創(chuàng)預(yù)測，隨著庫存消耗的結(jié)束，“行業(yè)周期的谷底已經(jīng)過去”，現(xiàn)在正朝著復(fù)蘇的方向邁進(jìn)。他們樂觀地預(yù)計明年全球DRAM市場將迎來顯著的成長。
晶豪科也在不斷推進(jìn)自家產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)程，無論是在DRAM、Flash還是MCP產(chǎn)品領(lǐng)域，都持續(xù)開發(fā)新品并涉足不同的市場，包括加速19納米DRAM存儲IC的研發(fā)、完成28納米Nand Flash產(chǎn)品的量產(chǎn)，以及研發(fā)車規(guī)用的利基型存儲IC產(chǎn)品。
華邦總經(jīng)理陳沛銘也表示，本季度公司的運營情況將優(yōu)于第3季度，并對明年的DRAM市場持樂觀態(tài)度。
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