紅魔電競(jìng)平板評(píng)測(cè)：大屏幕硬實(shí)力
前言：三年的疫情因?yàn)橐暇W(wǎng)課的原因激活了平板市場(chǎng)，如今網(wǎng)課的時(shí)代已經(jīng)過去，大家的生活都恢復(fù)到了正軌，這也就意味著，真正考驗(yàn)平板電腦生存的環(huán)境來(lái)了。也就是面對(duì)著這種殘酷的
四款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體積減小90%以上，并提高了設(shè)備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開關(guān)損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝，支持對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子進(jìn)行開爾文連接。這減少了封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)性能；以TW054V65C為例，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相比[5]，其開通損耗降低了約55%，關(guān)斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設(shè)備中的功率損耗。
未來(lái)東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其SiC功率器件產(chǎn)品線，為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻(xiàn)。
測(cè)量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω
續(xù)流二極管采用各產(chǎn)品源極和漏極之間的二極管。（截至2025年5月，東芝對(duì)比結(jié)果）
圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導(dǎo)通損耗（Eon）和關(guān)斷損耗（Eoff）比較
（除非另有說(shuō)明，Ta＝25°C）
第3代SiC MOSFET特性
SiC MOSFET常見問題解答
SiC MOSFET與Si IGBT的比較
SiC MOSFET絕對(duì)最大額定值和電氣特性
注：
[1] 截至2025年5月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 一種信號(hào)源引腳靠近FET芯片連接的產(chǎn)品。
[4] 截至2025年5月，東芝測(cè)量值。請(qǐng)參考圖1。
[5] 采用TO-247封裝且無(wú)開爾文連接的、具有同等電壓和導(dǎo)通電阻的650V東芝第3代SiC MOSFET。
*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。
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