近日，上汽英飛凌汽車功率半導體（上海）有限公司發布了關于其無錫擴建功率半導體模塊產線項目的環境影響評價公告。此次擴建項目擬新增總投資3.1億元人民幣，旨在進一步提升其在汽車功率半導體領域的產能。

公開資料顯示，上汽英飛凌汽車功率半導體（上海）有限公司由上汽集團（持股51%）與英飛凌（持股49%）于2018年3月合資成立，總部位于上海，生產基地位于英飛凌無錫工廠的擴建項目內，在2018下半年開始批量生產。
英飛凌無錫工廠則成立于1995年，前身為西門子半導體無錫工廠，專注于半導體后道封裝測試、功率半導體（如IGBT模塊）及智能卡芯片生產。今年3月，英飛凌舉行了“無錫新樓啟用暨落戶30周年慶典”活動，歷經三十年的深耕發展，無錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產基地之一。
英飛凌《年產180萬個汽車功率半導體產品無錫分公司項目》環評文件顯示，2019年該項目取得無錫市新吳區安全生產監督管理和環境保護局批復，完成第一階段驗收，實現年產汽車功率半導體70萬個生產能力。
2025年1月，無錫高新區（新吳區）舉行一季度重大項目，其中提到，英飛凌功率半導體器件項目引進暨無錫生產基地擴產項目正在加緊建設，總投資15.5億元。據無錫市人民政府消息，英飛凌無錫基地還在不斷擴大規模，引進全球最新的第三代功率半導體器件產品，打造國內最具規模、國際技術一流的先進功率半導體器件生產基地。
回顧英飛凌無錫工廠發展，最早可追溯到2015年，英飛凌在無錫增資，設立了英飛凌半導體（無錫）有限公司，生產IGBT模塊。2020年11月6日，英飛凌宣布將新增在華投資，擴大其無錫工廠的IGBT模塊生產線。
根據公告，計劃選址于無錫分公司，新增第二代框架式功率模塊產品150萬片產能。擴建項目完成后，上汽英飛凌無錫分公司的年產能將從現有的260萬個提升至420萬個。
2023年，上汽英飛凌新增總投資3.2532億元，在無錫分公司擴建《260 萬個汽車功率半導體產品項目》。英飛凌對無錫全廠生產線生產能力進行重新調配，將原環評審批的年產汽車功率半導體180萬個生產規模擴產至年產260萬個汽車功率半導體產品。該項目已于2024 年5月取得新吳區行政審批局的立項備案意見。

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