據日經、NHK等媒體報道，美國傳感器與功率半導體制造商Polar Semiconductor與日本瑞薩電子達成戰略合作協議，授權瑞薩使用其氮化鎵覆硅基D模式（GaN-on-Si D-Mode）技術。雙方將共同推動高電壓650V等級GaN-on-Si半導體元件的商業化生產。
Polar位于美國明尼蘇達州Bloomington的200mm（8寸）晶圓制造廠，已升級為符合車規級標準的先進工廠，配備了最新的制程與自動化設備。這一升級為滿足下一代半導體需求奠定了基礎。通過擴展至200mm晶圓尺寸，GaN技術在成本效率和創新架構方面的優勢將得到進一步釋放，從而加速市場采用。
瑞薩電子的電源產品事業群資深副總裁暨總經理Chris Allexandre表示，與Polar的合作不僅擴展了瑞薩成熟的GaN技術至200mm晶圓，還確保了產品在美國本土的生產能力，為客戶提供更多元化的供應來源。Polar總裁暨營運長Surya Iyer則強調，Polar是美國唯一專注于傳感器、電源與高電壓半導體的本土獨立晶圓代工廠，其制造能力將為關鍵國防計劃提供支持。
此次合作的目標是將GaN元件的應用范圍擴展至汽車、數據中心、消費性電子、工業應用、航太與國防等關鍵領域。同時，這項協議也符合美國當前推動半導體國內制造的政策趨勢，確保尖端技術的穩定供應。
據報道，美國總統川普在2025年2月宣布對進口汽車征收25%關稅的同時，還計劃對半導體和醫藥品征收25%以上的關稅，并在一年內進一步提高稅率。此舉意在推動全球企業將生產基地遷至美國，以規避關稅。此外，在拜登政府任內，Polar曾于2024年5月獲得約1.23億美元的《芯片與科學法案》補助，用于明尼蘇達州工廠的擴建，目標是在兩年內實現產能翻倍。

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