據科技日報消息，西湖大學孵化的西湖儀器（杭州）技術有限公司近日成功研發出12英寸碳化硅襯底自動化激光剝離技術。這一突破性進展有效解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片的技術難題。
西湖大學工學院講席教授仇旻表示，制造更大尺寸的碳化硅襯底材料是碳化硅行業實現降本增效的重要途徑。與6英寸和8英寸襯底相比，12英寸碳化硅襯底顯著擴大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積。在相同生產條件下，這不僅能夠大幅提升芯片產量，還能有效降低單位芯片的制造成本。
仇旻進一步介紹，該技術實現了碳化硅晶錠減薄、激光加工以及襯底剝離等流程的自動化操作。相比傳統切割技術，激光剝離過程無需材料損耗，原料損耗顯著減少。此外，新技術大幅縮短了襯底出片時間，為未來超大尺寸碳化硅襯底的規模化量產提供了技術支持，從而進一步推動行業降本增效。

這一技術的突破不僅為碳化硅材料的應用開辟了新路徑，也為半導體行業的技術發展注入了新的動力。

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