近日，三星與長江存儲達成一項重要協議，簽署了 3D NAND 混合鍵合專利許可協議。從第 10 代 V-NAND（V10）起，三星將運用長江存儲的專利技術，尤其是 “混合鍵合” 技術。
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三星計劃在 2025 年下半年量產下一代 V10 NAND，這款產品預計堆疊層數高達 420 至 430 層。當芯片堆疊層數超過 400 層時，底層外圍電路會承受極大壓力，嚴重影響芯片的可靠性。為攻克這一難題，三星決定在 V10 NAND 中采用 W2W 混合鍵合技術。該技術通過直接貼合兩片晶圓，摒棄傳統凸點連接方式，不僅縮短了電氣路徑，提升了芯片性能與散熱能力，還優化了生產效率。BMQ28資訊網——每日最新資訊28at.com

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其實早在四年前，長江存儲便已領先一步，將混合鍵合技術應用于 3D NAND 制造，并將其命名為 “晶棧（Xtacking）”，同時構建了完備的專利布局。目前在 3D NAND 混合鍵合關鍵專利方面，掌握核心技術的公司主要有美國 Xperi、中國長江存儲以及中國臺灣臺積電。三星在相關技術研發上，幾乎難以避開長江存儲的專利布局。BMQ28資訊網——每日最新資訊28at.com

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