Find N3入網：最高支持16+1TB
OPPO將于近期登場的Find N3折疊屏目前已經正式入網，型號為PHN110。本次Find N3在外觀方面相比前兩代有很大的變化，不再是小號的橫向折疊屏，而是跟別的廠商一樣采用了較為常見的
在半導體制程技術的前沿，英特爾正穩步推進其“四年五個制程節點”計劃，加速實現在 2025 年推出尖端的制程節點 Intel 18A。
今天，我們將介紹英特爾的兩項突破性技術：RibbonFET 全環繞柵極晶體管和 PowerVia 背面供電技術。這兩項技術首次成功集成于 Intel 20A 制程節點，也將用于 Intel 18A。
RibbonFET：柵極“環抱”晶體管
通過 RibbonFET 晶體管，英特爾實現了全環繞柵極（GAA）架構。在晶體管中，柵極扮演著關鍵的開關角色，控制著電流的流動。RibbonFET 使得柵極能夠全面環繞帶狀的晶體管溝道，這一創新帶來了三大優勢：
?節約空間：晶體管溝道的垂直堆疊，相較于傳統的水平堆疊，大幅減少了空間占用，有助于晶體管的進一步微縮；
RibbonFET 晶體管與 FinFET 晶體管（鰭式場效應晶體管）的對比示意圖
?性能提升：柵極的全面環繞增強了對電流的控制，無論在何種電壓下，都能提供更強的驅動電流，讓晶體管開關的速度更快，從而提升晶體管性能；
?靈活設計：晶體管溝道可以根據不同的應用需求進行寬度調整，為芯片設計帶來了更高的靈活性。
PowerVia：從“披薩”到“三明治”的轉變
PowerVia 背面供電技術改變了芯片布線的邏輯。
傳統上，計算機芯片的制造過程類似于制作“披薩”，自下而上，先制造晶體管，再構建線路層，同時用于互連和供電。然而，隨著晶體管尺寸的不斷縮小，線路層變得越來越“擁擠”，復雜的布線成為了性能提升的瓶頸。
英特爾通過 PowerVia 實現了電源線與互連線的分離。首先制造晶體管，然后添加互連層，最后將晶圓翻轉并打磨，以便在晶體管的底層接上電源線。形象地說，這一過程讓芯片制造更像是制作“三明治”。
PowerVia 革新了晶體管的布線方式
背面供電技術讓晶體管的供電路徑變得更加直接，有效改善了供電，減少了信號串擾，降低了功耗。測試顯示，PowerVia 能夠將平臺電壓降低優化 30%。
同時，這種新的供電方式還讓芯片內部的空間得到了更高效的利用，使得芯片設計公司能夠在不犧牲資源的前提下提高晶體管密度，顯著提升性能。測試結果表明，采用 PowerVia 技術可以實現 6% 的頻率增益和超過 90% 的標準單元利用率。
Intel 20A 和 Intel 18A 的技術演進
半導體技術的創新是一個不斷迭代的過程。在 Intel 20A 制程節點上，英特爾首次成功集成了 RibbonFET 和 PowerVia 這兩項突破性技術。基于 Intel 20A 的技術實踐，這兩項技術將被應用于采用 Intel 18A 制程節點的首批產品：AI PC 客戶端處理器 Panther Lake 和服務器處理器 Clearwater Forest。目前，新產品的樣片已經出廠、上電并成功啟動操作系統，預計將在 2025 年實現量產。
Intel 18A 晶圓
此外，這兩項技術也將通過 Intel 18A 向英特爾代工（Intel Foundry）的客戶提供。Intel 18A 的缺陷密度已達到 D0 級別，小于 0.40，顯示出其在晶圓廠中的生產狀況良好，良率表現優秀。今年 7 月，英特爾還發布了 Intel 18A 制程設計套件（PDK）的 1.0 版本，得到了生態系統的積極響應。
本文鏈接：http://m.www897cc.com/showinfo-26-113194-0.html技術前沿：“環抱”晶體管與“三明治”布線
聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權所有 sitemap.xml
違法及侵權請聯系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網安備 12010102000574號