得物效率前端微應用推進過程與思考
一、背景效率工程隨著業務的發展，組織規模的擴大，越來越多的企業開始意識到協作效率對于企業團隊的重要性，甚至是決定其在某個行業競爭中突圍的關鍵，是企業長久生存的根本。得物
最近，國內有3家碳化硅企業公布了8吋SiC的新進展，包括中國電科55所、三安半導體和南砂晶圓。
55所即將建設8吋SiC
年產能20萬片
據“南京日報”報道，9月6日，位于南京的國家第三代半導體技術創新中心實現了一期項目竣工投產。
該中心負責人介紹，一期項目是依托55所原有11#廠房區域，“以存量帶增量”的方式，打造6英寸SiC電力電子器件研發與中試平臺，并且已經在國內率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批量生產技術。
而隨著一期項目投運，該中心的二期項目的建設又排上了“時間表”。
據“行家說三代半”了解，中國電科首席專家柏松在上周六（9月2日）的一場線上活動透露，他們將在2024年啟動8英寸SiC晶圓線的建設。
這與南京日報的報道吻合，報道提到：該中心的二期項目計劃于2024年開建，規劃年產20萬片8英寸SiC晶圓片，工廠將設計8英寸芯片制造、先進晶圓封裝、模塊封裝平臺，實現孵化、成果轉化、學術交流、公共服務等功能。
6月7日，意法半導體和三安光電宣布，雙方已簽署協議，將在中國重慶建立一個新的8英寸碳化硅器件合資制造廠。該合資廠全部建設總額預計約達32億美元（約228.2億人民幣）。
簽約當天，該工廠還舉行了奠基儀式，計劃于2025年第四季度開始生產，預計將于2028年全面落成。
根據公告，三安光電將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求。
南砂晶圓研發“零缺陷”8吋襯底
SiC擴產線落戶濟南
8月30日，南砂晶圓/山東大學在《無機材料學報》公布了8英寸SiC的最新進展。
2022年，南砂晶圓就研發出了8英寸導電型 4H-SiC 晶體，并加工出厚度520 μm襯底。
根據該文獻，南砂晶圓這次是在位錯缺陷控制方面取得了重大突破——他們使用PVT法制備了幾乎“零螺位錯（TSD）”密度和低基平面位錯（BPD）密度的8英寸導電型4H-SiC單晶襯底，其中TSD為0.55cm-2，BPD為202cm-2。
該研究團隊認為，近“零TSD”和低BPD密度的8英寸SiC襯底制備，有助于加快國產8英寸SiC襯底的產業化進程，提升市場競爭力。
據“行家說三代半”此前報道，今年6月，南砂晶圓SiC擴產基地項目計劃落地濟南，其濟南項目的主建方為全資子公司山東中晶芯源。
南砂晶圓濟南擴產基地負責人李樹強曾透露，該項目計劃在2025年滿產達產，屆時預計產值達到50億元以上。
此外，南砂晶圓在廣州南沙區布局了碳化硅項目，總投資9億元，達產后年產各類襯底片和外延片共20萬片。據“廣州日報”報道，該項目今年4月已經試投產。
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