泰高技術(shù)提供了一系列高功率氮化鎵射頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，這些開(kāi)關(guān)內(nèi)部包含GaN芯片和CMOS控制器芯片。為了正確控制開(kāi)關(guān)裝置，泰高GaN開(kāi)關(guān)采用了集成控制器設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)需要負(fù)電壓。為了生成負(fù)電壓，控制器內(nèi)部使用電荷泵電路。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

不過(guò)，電荷泵電路在切換頻率和切換頻率的諧波處會(huì)產(chǎn)生干擾。為了解決這個(gè)問(wèn)題，圖1顯示了通過(guò)連接在IC的VCP引腳上的外部旁路電容器來(lái)降低這些切換干擾的方法。推薦的旁路電容器值為1nF，電壓等級(jí)為50V。在操作頻率低于300MHz時(shí)，典型的干擾性能為-110dBm至-130dBm，并且分辨帶寬為10kHz。圖2展示了TGSB2320AD; 30W 4T RF開(kāi)關(guān)的所有四個(gè)RF端口的低頻噪聲性能，還顯示了與RF開(kāi)關(guān)連接時(shí)的噪聲水平，以展示測(cè)量噪聲底線。在超過(guò)300MHz的操作頻率下，干擾水平應(yīng)低于-135dBm，大多數(shù)應(yīng)用情況下這已經(jīng)足夠。但對(duì)于在VHF和UHF頻段操作的應(yīng)用以及RF開(kāi)關(guān)位于系統(tǒng)的接收路徑中的情況，這種干擾性能可能不足夠。在通道帶寬為10kHz的情況下，需要低于-134dBm的噪聲底線（即熱噪聲底線）。如圖2所示，采用內(nèi)置電荷泵選項(xiàng)的泰高開(kāi)關(guān)不能滿(mǎn)足這種噪聲要求。本應(yīng)用指南提供了一個(gè)簡(jiǎn)單的解決方案，適用于那些需要在操作頻率低于300MHz時(shí)，噪聲低于-135dBm（10kHz RBW）的應(yīng)用。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

圖1 : TGSB2320AD PinoutRRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

圖2 : Noise performance for TGSB2320ADRRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

解決方案 ：RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

泰高技術(shù)為需要低噪聲性能的應(yīng)用提供了一系列具有外部電荷泵電壓選項(xiàng)的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品。這些開(kāi)關(guān)需要外部負(fù)電壓來(lái)工作。根據(jù)圖3所示，只需使用帶有內(nèi)部電荷泵的泰高技術(shù)氮化鎵射頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，就可以輕松地提供所需的負(fù)電壓。泰高技術(shù)的氮化鎵射頻開(kāi)關(guān)通過(guò)設(shè)計(jì)內(nèi)部電荷泵電路，使其能夠?yàn)閹в型獠侩姾杀眠x項(xiàng)的開(kāi)關(guān)提供足夠的電流。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

我們建議將每個(gè)開(kāi)關(guān)靠近其相應(yīng)的旁路電容器。在一些系統(tǒng)中，可能存在多個(gè)射頻開(kāi)關(guān)。在這種情況下，可以使用VCP電壓從不需要非常低噪聲性能的開(kāi)關(guān)（如位于發(fā)送路徑的開(kāi)關(guān)）提供給需要低噪聲性能的開(kāi)關(guān)（如位于VHF和UHF接收路徑的開(kāi)關(guān)）。通過(guò)這樣的配置，具有外部電荷泵選項(xiàng)的開(kāi)關(guān)將能夠?qū)崿F(xiàn)超低噪聲性能（<-134dBm），滿(mǎn)足接收機(jī)靈敏度的要求。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

圖3 : Low noise solution (Allowed)RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

重要說(shuō)明：請(qǐng)注意，泰高技術(shù)的高功率氮化鎵射頻對(duì)稱(chēng)開(kāi)關(guān)對(duì)稱(chēng)帶有內(nèi)置電荷泵，因此在連接時(shí)只能與一個(gè)具有外部電荷泵的開(kāi)關(guān)相連。如果系統(tǒng)中存在多個(gè)帶有外部電荷泵的開(kāi)關(guān)，則應(yīng)確保第二個(gè)開(kāi)關(guān)連接到具有內(nèi)置電荷泵選項(xiàng)的不同泰高技術(shù)氮化鎵RF開(kāi)關(guān)，如圖3所示的解決方案所示。但是，請(qǐng)注意，圖4所示的解決方案則是不被允許的。另外，請(qǐng)務(wù)必確保兩個(gè)開(kāi)關(guān)（即內(nèi)置電荷泵選項(xiàng)和外部電荷泵選項(xiàng)）都由同一穩(wěn)壓器供電。此外，為了保證性能穩(wěn)定，建議兩個(gè)開(kāi)關(guān)都配備1nF或更高的旁路電容，并且這些旁路電容應(yīng)盡可能靠近各自的開(kāi)關(guān)位置。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

圖4 : Low noise solution (Not allowed)RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

在圖5中，展示了一種通過(guò)將VCP電壓從TGSP2520DE（內(nèi)部VCP選項(xiàng)）傳送到TGSB2320AD（外部VCP選項(xiàng)）來(lái)測(cè)量噪聲性能的方法。這兩個(gè)開(kāi)關(guān)都附帶了1nf的旁路電容。與此同時(shí)，圖6展示了TGSB2320AD的噪聲性能。從圖表可以看出，所有雜散頻率都低于測(cè)量系統(tǒng)的噪聲底線。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Figure 5: TGSB2320AD 評(píng)估板RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Figure 6: Noise performance of TGSB2320AD(Ext CP option)RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

而在圖7中，則展示了在改進(jìn)的測(cè)量動(dòng)態(tài)范圍下的近端譜圖。通過(guò)該圖表可以看出，在內(nèi)部電荷泵選項(xiàng)開(kāi)關(guān)（圖2）的噪音性能最差情況下的頻率處，所有三種最差情況的雜散頻率都低于熱噪聲底線。這一結(jié)果印證了改進(jìn)后的測(cè)量系統(tǒng)的優(yōu)越性。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Figure 7: Noise performance of TGSB2320AD(Ext CP option) at WC spur frequenciesRRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

以下是泰高技術(shù)提供的開(kāi)關(guān)組合表，其中包含具有外部電荷泵選項(xiàng)的開(kāi)關(guān)和具有內(nèi)部電荷泵選項(xiàng)的開(kāi)關(guān)。通過(guò)同時(shí)使用這兩種開(kāi)關(guān)，可以實(shí)現(xiàn)低熱噪聲的噪聲性能。這樣的解決方案消除了生成外部電荷泵選項(xiàng)所需的負(fù)電壓的負(fù)擔(dān)。在系統(tǒng)中已經(jīng)使用多個(gè)泰高技術(shù)開(kāi)關(guān)的情況下，這一解決方案不會(huì)增加任何額外的硬件或成本負(fù)擔(dān)。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

深圳市泰高技術(shù)有限公司是一家專(zhuān)注于氮化鎵射頻前端芯片的領(lǐng)先半導(dǎo)體公司。我們憑借在氮化鎵射頻技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)明專(zhuān)利，成功研發(fā)了一系列創(chuàng)新的大功率氮化鎵射頻前端芯片。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

這些獨(dú)特的芯片不僅能夠顯著延長(zhǎng)無(wú)線通信距離，還能提升圖像傳輸?shù)馁|(zhì)量。通過(guò)應(yīng)用泰高技術(shù)的氮化鎵設(shè)計(jì)，這些芯片具備更高的功率密度和更低的能耗。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)不僅能夠提升產(chǎn)品整體性能，還為無(wú)線通信領(lǐng)域帶來(lái)了革命性突破。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

利用泰高技術(shù)的大功率氮化鎵射頻前端芯片，用戶(hù)可以享受更遠(yuǎn)距離的無(wú)線連接和更高質(zhì)量的圖像傳輸，無(wú)論是在通信設(shè)備、無(wú)人機(jī)或其他需要遠(yuǎn)程通信的場(chǎng)景中。此外，這些芯片還表現(xiàn)出色的能效，能夠在保持高性能的同時(shí)降低能耗。這意味著設(shè)備即使經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的使用，仍能夠穩(wěn)定工作，并為環(huán)保事業(yè)做出貢獻(xiàn)。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

作為泰高技術(shù)的座右銘：“顛覆性創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)高效節(jié)能—泰高技術(shù)氮化鎵射頻芯片”，準(zhǔn)確地概括了我們公司的核心價(jià)值觀和理念。我們始終致力于顛覆傳統(tǒng)，推動(dòng)創(chuàng)新，在氮化鎵射頻技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行前沿研究，為客戶(hù)提供更先進(jìn)、更可靠的解決方案，并積極追求高效節(jié)能的目標(biāo)。我們承諾持續(xù)不斷地努力，為行業(yè)帶來(lái)更多突破和進(jìn)步。RRy28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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