帥氣純真少年！日本最帥初中生選美冠軍出爐
日本第一帥哥初一生選美大賽冠軍現(xiàn)已正式出爐，冠軍是來自千葉縣的宗田悠良。日本一直熱衷于各種選美大賽，從“最美JK”起到“最美女星&r
在最近召開的IEDM大會上，英特爾帶來了一項令人矚目的技術(shù)突破。該公司表示，已成功將CMOS硅晶體管與氮化鎵(GaN)功率晶體管集成，這在高度集成的48V設(shè)備中具有革命性的意義。
這一突破性的技術(shù)是由Cambridge GaN Devices、EPC和Navitas以及英飛凌領(lǐng)導的歐洲重大研究項目共同開發(fā)的。英特爾的Components Research芯片中尺度工藝開發(fā)總監(jiān)Paul Fisher表示：“英特爾是唯一一家專注于48V及以下電壓下GaN效率利用的公司。”
此次英特爾的突破性技術(shù)將硅和氮化鎵相結(jié)合，提供了一流性能和效率，同時允許將多種功能集成在單個芯片上。這對于當今的晶體管技術(shù)來說是一個巨大的進步，因為當今的晶體管技術(shù)都無法滿足與電力傳輸和射頻前端設(shè)計相關(guān)的多樣化需求。由于這個問題，電路設(shè)計人員正在組合許多不同的、獨立的芯片，這會導致封裝體積龐大。
這項新技術(shù)顯著擴展了高效、微型片上系統(tǒng)中可實施和集成的解決方案范圍。而使用英特爾領(lǐng)先的CMOS工廠在300mm硅片上加工GaN晶體管，不僅為所有最新工藝創(chuàng)新打開了大門，還為半導體行業(yè)帶來了顯著的效益。
由于缺乏原生襯底，幾乎所有的GaN都生長在異質(zhì)襯底上，例如藍寶石、SiC和硅。然而，英特爾卻使用經(jīng)濟高效的300mm硅基板，將GaN與300mm晶圓廠中最先進的高K介電金屬柵極技術(shù)結(jié)合起來。這使得增強模式操作和柵極堆疊縮放成為可能，并最終實現(xiàn)高性能和低泄漏，這是提高效率的關(guān)鍵。
增強型GaN晶體管技術(shù)的另一個優(yōu)點是它簡化了電路架構(gòu)。由于增強型晶體管是常關(guān)型的，因此不需要負電源。相反，該設(shè)備可以直接由電池驅(qū)動，從而節(jié)省了微芯片上寶貴的空間。
對300mm硅片上的高K介電增強模式GaN NMOS晶體管進行的測量顯示出出色的電氣特性以及一流的功率傳輸和射頻性能。該器件具有低漏極泄漏、高驅(qū)動漏極電流、低拐點電壓和低導通電阻。且這些高K GaN NMOS晶體管在1 GHz至30 GHz的寬頻率范圍內(nèi)的功率附加效率顯著優(yōu)于基于GaAs和硅/SOI晶體管的晶體管。由于具有出色的拐點電壓和導通電阻，可以在低至1V的漏極電壓下實現(xiàn)高效的功率放大器(PA)操作。
此次技術(shù)的突破將為未來的半導體行業(yè)帶來深遠的影響。隨著科技的不斷發(fā)展，我們有理由相信，英特爾將繼續(xù)引領(lǐng)半導體技術(shù)的革新，為全球帶來更多的驚喜和突破。
本文鏈接：http://m.www897cc.com/showinfo-27-46293-0.html英特爾發(fā)布具有集成驅(qū)動器的GaN器件
聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權(quán)所有 sitemap.xml
違法及侵權(quán)請聯(lián)系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網(wǎng)安備 12010102000574號