Redmi Buds 4開箱簡評：才199還有降噪 可以無腦入
在上個月舉辦的Redmi Note11T Pro系列新機發(fā)布會上，除了兩款手機新品之外，Redmi還帶來了兩款TWS真無線藍牙耳機產(chǎn)品，Redmi Buds 4和Redmi Buds 4 Pro，此前我們在Redmi Note11T
在最近的IEDM大會上，英特爾向全世界展示了其在新一代半導(dǎo)體技術(shù)上的突破。公司表示，已成功將CMOS硅晶體管與氮化鎵(GaN)功率晶體管集成，這一創(chuàng)新技術(shù)將引領(lǐng)48V設(shè)備的發(fā)展進入一個全新的階段。
這個具有集成驅(qū)動器的GaN器件是由Cambridge GaN Devices、EPC和Navitas以及歐洲重大研究項目英飛凌領(lǐng)導(dǎo)的開發(fā)團隊共同研發(fā)的。這一技術(shù)的成功，標志著英特爾在48V及以下電壓下GaN效率利用上的領(lǐng)先地位。
Components Research芯片中尺度工藝開發(fā)總監(jiān)Paul Fisher表示：“英特爾是唯一一家專注于48V及以下電壓下GaN效率利用的公司。”他同時指出，“去年，我們展示了具有業(yè)界最佳品質(zhì)因數(shù)的GaN晶體管，增益比LDMOS或e-mode GaN HEMT等硅器件高出20倍。這對我們來說是一個真正的突破，我們正在通過在300mm硅片上使用Gan和CMOS的大規(guī)模3D單片工藝，更進一步地邁出這一步。”
英特爾首席工程師Han Wui補充道：“不僅如此，我們還為第一個集成CMOS驅(qū)動器提供了DR驅(qū)動器GaN，并在同一個芯片上單片集成了GaN電源開關(guān)。”他表示，英特爾于2004年推出首款DR MOS，并成為同時向PC和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器供電的行業(yè)標準。驅(qū)動器和電源集成使用硅晶體管提供了具有低寄生效應(yīng)的高密度解決方案。
Wui進一步指出：“我們的工作表明，可以將硅PMOS晶體管與GaN晶體管結(jié)合起來，并具有高品質(zhì)因數(shù)，以跟上功率密度的增長步伐。”他強調(diào)，“GaN器件對于n溝道來說是一種很棒的器件，但作為一種補充技術(shù)，在使用空穴承載電流方面將面臨p模式的挑戰(zhàn)，因為它們的遷移率非常低，而這正是硅p溝道的用武之地。”他表示，“我們的DR GAN具有一個GaN N溝道和一個硅p溝道器件，具有高遷移率以及柵極氧化物和觸點。”
此次英特爾的突破性研究為解決當前半導(dǎo)體行業(yè)的挑戰(zhàn)提供了新的思路。將硅和氮化鎵相結(jié)合的單片、三維GaN和硅晶體管堆疊技術(shù)不僅提供了一流的性能和效率，同時還將多種功能集成在單個芯片上。這將極大地提高電路設(shè)計的效率和性能，同時降低了封裝體積，滿足了當今對更高能效、更小外形尺寸的需求。
隨著5G及更高技術(shù)的普及和發(fā)展，聯(lián)網(wǎng)移動設(shè)備數(shù)量的指數(shù)級增長已是可以預(yù)見的未來。為了滿足這些設(shè)備的供電需求，集成電路需要以更小的外形尺寸提供更高的能效。在這個背景下，英特爾的這項新技術(shù)無疑為整個行業(yè)的發(fā)展提供了新的動力。
總的來說，英特爾在IEDM大會上的這次突破性展示為我們揭示了一個全新的半導(dǎo)體時代。通過將CMOS硅晶體管與氮化鎵(GaN)功率晶體管集成，英特爾成功地開辟了一條新的道路，為未來半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。我們期待看到這項技術(shù)在未來的廣泛應(yīng)用和持續(xù)發(fā)展。
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