6月iOS設備性能榜：M2穩居榜首 A系列只能等一手3nm來救
沒有新品發布，自然iOS設備性能榜的上榜設備就沒有什么更替，僅僅只有跑分變化而產生的排名變動，畢竟蘋果新品的發布節奏就是這樣的，一年下來也就幾個移動端新品，不會像安卓廠商，一
近日，法國半導體巨頭意法半導體（STMicroelectronics）計劃在意大利西西里島Catane投資50億歐元（約392億人民幣），興建一座碳化硅（SiC）超級半導體晶圓廠。這一重磅決定旨在平衡公司在法國和意大利的布局，并為電動車關鍵技術的研發提供強大支持。
為保持競爭力，意法半導體計劃自2024年起轉型至8英寸晶圓制造，并整合Soitec的SmartSiC技術以提高效能并減少碳排放。公司還積極提升產能，加強內部制造，并與中國企業三安光電展開合作，旨在將SiC芯片相關營收由今年預期的12億美元提升至2030年前的50億美元。
這不是意法半導體與三安光電的首次合作。早在今年6月7日，雙方就達成協議，在重慶建立新的8英寸SiC器件合資制造廠，總投資達32億美元。為確保龐大的投資計劃順利進行，三安光電將利用自研SiC襯底工藝獨立建造和運營8英寸SiC襯底制造廠，以滿足合資廠的需求，助力意法半導體加速向8英寸進軍。
分析機構TrendForce集邦咨詢指出，目前SiC產業主要以6英寸襯底為主，但8英寸襯底僅占1%，向更大的8英寸襯底過渡是未來降低SiC器件成本的關鍵策略。8英寸SiC襯底相較于6英寸同類襯底具有明顯的成本優勢，是行業發展的大趨勢。國內外龍頭企業紛紛推進8英寸SiC襯底的研發，將襯底成本降低后，有望進一步推廣SiC器件，為產業形成良性循環。
此舉引起了國際半導體巨頭的積極響應，英飛凌、安森美等均已加入爭奪市場份額的行列。英飛凌已制備第一批8英寸晶圓機械樣品，計劃在2030年前進行大規模量產應用。安森美、羅姆等國際器件大廠也制定了8英寸SiC晶圓的發展規劃，共同參與市場競爭。
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