在國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)中,光刻機技術(shù)一直是制約發(fā)展的關(guān)鍵。在沒有ASML提供浸潤式光刻機和EUV光刻機的情況下,國產(chǎn)光刻機難以在7nm以下取得突破。
近年來,國內(nèi)頻繁傳出光刻機突破的消息,但關(guān)鍵問題在于核心部件的國產(chǎn)化進展如何?
光刻技術(shù)是在特定波長的光照下,借助光刻膠將圖形轉(zhuǎn)移到基片上的工藝。核心部件包括光源系統(tǒng)、物鏡系統(tǒng)和雙工作臺。
光源系統(tǒng)使用193nm波長的深紫外線,目前上海微電子的90nm光刻機也采用了193nm波長,支持最高達到7nm。
物鏡系統(tǒng)是真正的難點,ASML使用的是由卡爾蔡司提供的,目前國產(chǎn)光刻機的物鏡系統(tǒng)尚處于90nm水平,但據(jù)稱長春光電所的物鏡系統(tǒng)已經(jīng)達到32nm,尚待確認是否已應用于光刻機。
在物鏡系統(tǒng)方面,國內(nèi)與ASML仍存在較大差距,可能是限制國產(chǎn)光刻機突破的重要因素之一。克服這一挑戰(zhàn),將是國產(chǎn)光刻機向前邁進的重要一步。
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