據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea報(bào)道，三星正計(jì)劃在韓國(guó)華城和平澤擴(kuò)大1c DRAM（第六代10nm等級(jí)）制程技術(shù)的生產(chǎn)。相關(guān)投資預(yù)計(jì)將在年底前啟動(dòng)，這標(biāo)志著三星正通過大規(guī)模投資縮小與當(dāng)前市場(chǎng)龍頭SK海力士的差距。
與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士和美光選擇1b DRAM（第五代10nm等級(jí)）制程技術(shù)不同，三星大膽押注更先進(jìn)的1c DRAM制程技術(shù)，顯示出其對(duì)提升該技術(shù)良率的信心。此外，三星還計(jì)劃在2025年底前將華城17號(hào)生產(chǎn)線從1z DRAM（第三代10nm等級(jí)）制程技術(shù)轉(zhuǎn)為1c DRAM制程技術(shù)生產(chǎn)，以進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。
據(jù)韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星用于12層堆疊HBM4的關(guān)鍵組件——4nm制程邏輯芯片，在測(cè)試生產(chǎn)中已達(dá)成超過40%的良率。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)測(cè)，受強(qiáng)勁市場(chǎng)需求推動(dòng)，2026年HBM總出貨量將突破300億GB，而新一代HBM4將在2026年下半年超越HBM3e，成為市場(chǎng)主流解決方案。
值得注意的是，三星2025年稍早在平澤第四園區(qū)（P4）啟動(dòng)了首條1c DRAM制程技術(shù)產(chǎn)線，目標(biāo)月產(chǎn)能為3萬片晶圓。若擴(kuò)產(chǎn)順利，月產(chǎn)能有望提升至4萬片。

本文鏈接：http://m.www897cc.com/showinfo-27-153271-0.html三星押注1c DRAM制程技術(shù)，欲在HBM4市場(chǎng)趕超SK海力士

聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識(shí)，若有侵權(quán)等問題請(qǐng)及時(shí)與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時(shí)間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 三星電子或?qū)⒎植鹁A代工業(yè)務(wù)，利益沖突問題成關(guān)鍵

下一篇： 全球TWS耳機(jī)市場(chǎng)排名出爐：小米躍居第二，蘋果穩(wěn)居第一