據業內人士透露，三星電子計劃在今年下半年投資擴大華城與平澤地區的1c DRAM（第6代10納米級DRAM）產能。這一計劃的實施，將為三星電子在高帶寬存儲器（HBM4）領域的競爭力提供重要支撐。
今年早些時候，三星電子已在平澤第四園區（P4）啟動了第一條1c DRAM量產線的建設。當時規劃的月產能為3萬片，但目前三星正考慮追加投資，預計下半年將產能提升至每月至少4萬片。與此同時，三星電子還計劃在其華城工廠的17號生產線引入1c DRAM技術。此前，該生產線主要用于生產1z（10納米級第三代）DRAM，但隨著傳統工藝需求的下降，三星正逐步將資源轉向更先進的制程。
據分析，三星電子在HBM4的商業化進程中面臨一定挑戰，因此選擇通過大規模量產1c DRAM來鞏固其技術領先地位。與SK海力士和美光等競爭對手采用1b DRAM作為HBM4的基礎不同，三星電子決定直接應用更先進的1c DRAM技術。

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