據(jù)Tom's Hardware報道，美國存儲器公司Neo Semiconductor（簡稱Neo）近期發(fā)布了兩款全新的3D X-DRAM設(shè)計，分別為“1T1C”和“3T0C”。這兩款設(shè)計預計在2026年推出概念驗證測試芯片，或?qū)鹘y(tǒng)DRAM市場帶來重大沖擊。
Neo的新型3D X-DRAM單模塊容量可達512Gb，是傳統(tǒng)DRAM模塊容量的10倍。同時，該設(shè)計還具備高速、低功耗等優(yōu)勢。測試數(shù)據(jù)顯示，新設(shè)計的讀寫速度達到10納秒，數(shù)據(jù)保留時間超過9分鐘，這些指標均領(lǐng)先于當前主流DRAM技術(shù)。
這兩款設(shè)計采用了氧化銦鎵鋅（IGZO）材料以及3D NAND堆疊架構(gòu)。通過結(jié)合這些技術(shù)，新款存儲器在提升容量和性能的同時，還能保持較低的能耗。此外，由于新設(shè)計基于現(xiàn)有的3D NAND生產(chǎn)流程改良，Neo希望現(xiàn)有的3D NAND生產(chǎn)線能夠快速升級，以適應(yīng)新產(chǎn)品的生產(chǎn)需求。
與Neo此前推出的3D X-AItech等更具針對性的技術(shù)相比，1T1C設(shè)計被認為更有可能成為傳統(tǒng)DRAM的有力競爭者。Neo計劃在即將于2025年5月18日舉行的IEEE IMW會議上，進一步披露這兩款設(shè)計的技術(shù)細節(jié)。

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