4月14日，英諾賽科發布了一則公告，宣布其自主研發的1200V氮化鎵（GaN）產品已成功實現量產。據集邦化合物半導體報道，這款產品因具備寬禁帶特性，在高壓高頻應用場景中表現出色，其零反向恢復電荷的核心優勢能夠進一步提升能源轉換系統的效率，并推動設備的小型化設計。
英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵產品在新能源汽車800V平臺中能夠顯著提升車載充電效率，縮小設備體積，從而延長續航里程并降低整體成本。同時，在高壓母線架構的AI數據中心和工業電源領域，該產品有助于實現高效高密度的電源轉換，滿足數據中心對能源效率的嚴苛要求，同時也為工業電源的小型化和高效化提供了支持。
據公告介紹，該產品已經通過驗證，并在中大功率電源領域實現量產。未來，它將被廣泛應用于新能源汽車、AI數據中心等多個行業。英諾賽科強調，氮化鎵技術對于構建更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統具有重要意義。
此外，英諾賽科近期與全球半導體巨頭意法半導體（STMicroelectronics）簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議。雙方計劃共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車及工業電源系統等領域的廣泛應用。

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