近日，武漢集成電路產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新一輪發(fā)展，多個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目簽約落地，其中包括備受關(guān)注的三維相變存儲(chǔ)器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。該項(xiàng)目由芯連鑫（武漢）半導(dǎo)體有限公司投資，計(jì)劃在武漢經(jīng)開(kāi)區(qū)建設(shè)研發(fā)中心，聚焦新型存儲(chǔ)器PCM技術(shù)的突破，為AI算力網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心和智能汽車等領(lǐng)域提供支持。
三維相變存儲(chǔ)器是一種基于三維堆疊結(jié)構(gòu)與相變材料特性的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。其核心原理是通過(guò)相變材料在晶態(tài)與非晶態(tài)之間的可逆相變實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，同時(shí)借助三維結(jié)構(gòu)提升存儲(chǔ)密度和性能。這種技術(shù)被視為存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要突破，性能介于傳統(tǒng)閃存和內(nèi)存之間，具備斷電不丟失數(shù)據(jù)、速度快、容量適中以及成本較低的優(yōu)勢(shì)。
據(jù)芯連鑫半導(dǎo)體相關(guān)負(fù)責(zé)人透露，其研發(fā)的PCM產(chǎn)品通過(guò)材料創(chuàng)新和三維堆疊技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)密度與速度的雙重提升。據(jù)“武漢經(jīng)開(kāi)區(qū)介紹”，該項(xiàng)目不僅將推動(dòng)存儲(chǔ)芯片的研發(fā)，還將開(kāi)發(fā)內(nèi)存控制芯片、智能網(wǎng)卡光模塊等關(guān)鍵器件，構(gòu)建從芯片設(shè)計(jì)到模組集成的完整產(chǎn)業(yè)鏈。目前，芯連鑫已與廣西天山電子等企業(yè)達(dá)成戰(zhàn)略合作，其研發(fā)成果將率先應(yīng)用于AI服務(wù)器和車載智能系統(tǒng)。
據(jù)“華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院”介紹，三維相變存儲(chǔ)器是當(dāng)前最具競(jìng)爭(zhēng)力的新型存儲(chǔ)技術(shù)之一，能夠滿足信息量爆發(fā)增長(zhǎng)對(duì)存儲(chǔ)器性能的需求，為5G、元宇宙等前沿領(lǐng)域提供底層技術(shù)支撐。
武漢近年來(lái)高度重視集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，已形成覆蓋芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)及應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈。據(jù)湖北省省委書(shū)記王忠林在今年初的政府工作報(bào)告中提到，2024年武漢光谷存儲(chǔ)芯片產(chǎn)值已突破600億元，規(guī)模位居全國(guó)第二。
在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，武漢已形成以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢新芯、長(zhǎng)江萬(wàn)潤(rùn)半導(dǎo)體等企業(yè)為核心的產(chǎn)業(yè)集群。其中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為存儲(chǔ)器IDM企業(yè)，成功研發(fā)了中國(guó)首款3D NAND閃存，并在2020年推出業(yè)界領(lǐng)先的第三代QLC閃存。目前，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器等領(lǐng)域。
武漢新芯則專注于特色存儲(chǔ)、數(shù)模混合和三維集成等領(lǐng)域，是中國(guó)大陸規(guī)模最大的NOR Flash制造廠商。據(jù)上交所官網(wǎng)顯示，武漢新芯正在沖刺資本市場(chǎng)，2024年前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入31.46億元，歸母凈利潤(rùn)1.38億元。

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