前英特爾CEO帕特·基辛格近日在LinkedIn平臺上宣布，已加入xLight公司擔任執行董事長。xLight官網也在上個月確認了這一消息。
xLight是一家專注于極紫外（EUV）光刻機技術的初創公司，致力于開發基于直線電子加速器的自由電子激光（FEL）技術的EUV光源系統。據稱，該系統可將成本降低3倍，并計劃在2028年實現商用，同時兼容現有設備。
帕特·基辛格表示：“我們正迎來自互聯網誕生以來計算基礎設施最具變革性的時刻。我期待與xLight合作，推動下一代半導體制造技術。自由電子激光器是光刻技術的未來，而xLight在粒子加速器技術領域處于領先地位。”
xLight CEO Nicholas Kelez稱：“帕特·基辛格認同EUV光刻技術是解鎖下一代計算的關鍵。他對半導體行業的深刻理解讓他迅速意識到xLight系統對美國半導體制造業的重要性。我們非常高興他加入董事會。”
EUV-FEL光源的技術優勢
近年來，美國、中國、日本等國家的研究機構正在研發基于直線電子加速器的自由電子激光（FEL）技術的EUV光源系統，以繞過ASML的EUV-LPP技術路線，大幅降低成本。其中，基于FEL技術的EUV光源方案備受關注，主要包括振蕩器FEL和自放大自發輻射（SASE）FEL兩種類型。
SASE-FEL技術利用加速器提供的高質量電子束自放大輻射，無需外部種子或振蕩器，適合短波長FEL。而直線加速器分為正常傳導和超導兩種類型，其中超導直線加速器因低熱負荷和高束團重復頻率更適合高功率自由電子激光器。
與EUV-LPP相比，基于能量回收直線加速器（ERL）的EUV-FEL光源具有顯著優勢：可產生超過10kW的高EUV功率，且無錫滴碎片污染，支持多臺EUV光刻機同時運行，同時大幅降低運營成本。
成本降低3倍，商業化前景廣闊
根據日本高能加速器研究組織（KEK）的研究數據，EUV-FEL光源的建設和運行成本僅為EUV-LPP光源的1/3。EUV-LPP光源的高成本主要來自集光鏡維護和能源消耗，而EUV-FEL光源通過能量回收方案和超導加速器技術克服了這些問題。
xLight公司正開發基于ERL的EUV-FEL光源系統，其功率可達當前最先進EUV光源系統的四倍（約1000W），并計劃在2028年實現商業化。帕特·基辛格表示，xLight的技術可將每片晶圓的光刻成本降低約50%，單個光源系統可支持多達20臺ASML EUV光刻機，使用壽命長達30年。
盡管ASML仍在改進EUV-LPP光源技術，但xLight的目標并非取代ASML的光刻工具，而是提供兼容的EUV光源系統。其HVM兼容系統設計旨在推動半導體制造業的持續進步。
技術挑戰與未來展望
盡管EUV-FEL光源具有諸多優勢，但其體積龐大，難以融入現有晶圓廠的潔凈室環境。此外，ASML曾考慮轉向EUV-FEL技術，但最終選擇EUV-LPP以降低風險。未來，若EUV-FEL技術商業化成功，或將融入下一代晶圓廠設計中，為半導體制造帶來更經濟、更可持續的解決方案。

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