據(jù)供應(yīng)鏈透露，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器模塊廠商近期大舉下急單，計(jì)劃提前儲(chǔ)備2至3個(gè)季度的庫(kù)存。這一舉動(dòng)背后，是中美關(guān)稅對(duì)峙加劇可能引發(fā)斷供風(fēng)險(xiǎn)的擔(dān)憂。國(guó)內(nèi)廠商希望通過提高庫(kù)存水位，規(guī)避未來供應(yīng)鏈不穩(wěn)定的影響，同時(shí)帶動(dòng)了上游原廠和相關(guān)供應(yīng)鏈的出貨需求。
隨著中國(guó)對(duì)美國(guó)進(jìn)口商品加征34%關(guān)稅的反制措施出臺(tái)，業(yè)界普遍擔(dān)憂中美關(guān)稅戰(zhàn)可能進(jìn)入報(bào)復(fù)性升級(jí)循環(huán)。國(guó)內(nèi)客戶已向供應(yīng)鏈緊急下單，甚至愿意加價(jià)采購(gòu)。盡管目前存儲(chǔ)器現(xiàn)貨市場(chǎng)供需未見明顯波動(dòng)，但業(yè)內(nèi)暗流涌動(dòng)。分析認(rèn)為，美國(guó)通過關(guān)稅手段旨在全面遏制中國(guó)制造業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，尤其是針對(duì)轉(zhuǎn)出口至其他國(guó)家的產(chǎn)品。
國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商的積極備貨有三大原因。首先，內(nèi)需市場(chǎng)對(duì)AI算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)需求旺盛，國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)鏈支持不可或缺；其次，提前確保關(guān)鍵零組件供應(yīng)，避免斷供風(fēng)險(xiǎn)；最后，需警惕韓國(guó)、日本可能在美國(guó)壓力下限制對(duì)華出口，或要求存儲(chǔ)器廠商擴(kuò)大在美投資，從而削弱中國(guó)市場(chǎng)的資源投入。
盡管存儲(chǔ)器芯片暫時(shí)未直接受到關(guān)稅影響，但國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)能擴(kuò)充仍需時(shí)間。部分廠商選擇優(yōu)先采購(gòu)Flash晶圓或顆粒，因操作相對(duì)簡(jiǎn)單。據(jù)ChinaFlashMarket統(tǒng)計(jì)，部分DDR資源價(jià)格已出現(xiàn)上漲，如DDR5 16Gb eTT價(jià)格漲至4.25美元，DDR4 16Gb eTT價(jià)格升至2.1美元。此外，部分SSD成品價(jià)格也回升至2024年年中水平。
業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，在中系客戶加速備貨的推動(dòng)下，第2季度相關(guān)供應(yīng)鏈的營(yíng)運(yùn)目標(biāo)有望超預(yù)期達(dá)成。現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格顯示，部分存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格維持平穩(wěn)，甚至小幅反彈。

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