據媒體報道，IBM與半導體設備巨頭東京威力科創（TEL）近日宣布延長合作協議，未來五年將共同開展先進半導體技術的聯合研發。此次合作將重點推進下一代半導體節點與架構的技術突破，以應對生成式人工智能時代對芯片性能的更高需求。

雙方的合作關系已持續二十多年，期間取得了一系列重要技術成果。例如，他們共同開發了一種新型激光剝離工藝，用于3D芯片堆疊技術，并成功應用于300mm硅晶圓的生產。這些技術突破為半導體行業多代芯片的性能提升和能效優化奠定了基礎。
東京威力科創總裁兼執行長河合利樹表示，雙方通過多年合作建立了深厚的信任關系，此次續簽協議體現了對推動半導體技術發展的共同承諾。合作領域將包括高數值孔徑（High NA）極紫外光（EUV）光刻技術的進一步開發。
IBM半導體總經理兼混合云部門副總裁Mukesh Khare強調，雙方的合作在提升芯片性能和能效方面發揮了重要作用。未來，他們將繼續攜手加速芯片技術創新，為生成式人工智能的發展提供強大支持。

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