據韓媒Theelec報道，在韓國微電子及封裝學會（KMEPS）2025年定期學術大會上，三星資深研究員金在春表示，HBM3E未通過NVIDIA品質驗證的問題與發熱無關。這一說法打破了此前外界的猜測。
三星存儲器事業部副社長金在俊曾在2024年第3季財報會議上提到，HBM3E品質驗證已取得重要進展，預計2024年第4季將擴大銷售。然而，截至2024年第4季財報會議，三星仍未通過NVIDIA的品質驗證，具體原因引發業界熱議。
韓國業內人士普遍推測，延遲可能與發熱、功耗效率或良率問題有關。但金在春在學術大會上指出，三星已通過優化接點（Joint）厚度解決了發熱問題。目前，三星采用的非導電薄膜熱壓縮（TC-NCF）制程使接點厚度達到業界最高水準，比傳統的MR-MUF制程更薄。
HBM（高帶寬存儲器）通過矽穿孔（TSV）技術將多個DRAM垂直堆疊而成，其接合部分由凸塊（bump）和非導電薄膜（NCF）組成，用于實現HBM與邏輯芯片的連接。

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