據日媒報道，日本汽車制造商馬自達與中國臺灣“經濟部”合作的半導體大廠羅姆半導體于2025年3月27日宣布，雙方將共同開發用于次世代電動車（EV）逆變器的氮化鎵（GaN）功率半導體，計劃在2027年實現量產。

此前，馬自達與羅姆在2022年11月曾合作開發EAxle用碳化硅（SiC）功率半導體。通過采用新型材料，雙方成功克服了傳統硅基功率半導體在電壓和溫度方面的限制，從而實現了更輕量化、更高效能的電動車動力系統。基于對前期合作成果的滿意，雙方決定繼續推進新材料功率半導體及相關產品的研發。
羅姆在GaN半導體領域也取得了顯著進展。2025年1月底，羅姆開始量產其EcoGaN系列產品，如GaN HEMT和GNP2070TD-Z。這些產品能夠承受650V的高電壓，效率約為市場上同類產品的兩倍，主要面向大型工業設備和純電動車（BEV）及混合動力車（HEV）市場。
此外，羅姆在2025年3月推出了兩款與GNP2070TD-Z相關的新產品，包括內置AI的汽車微控制器（MCU）和符合汽車規范AEC-Q100的高電壓高精度電流傳感器。這些產品為GaN功率半導體設備的制造提供了成熟的技術支持。
羅姆專務執行董事東克己表示，EcoGaN及其相關控制IC在高頻高電壓環境下的表現，是電動車節能的關鍵技術。馬自達在羅姆發布新型GaN功率半導體及控制IC后，迅速提出合作，并制定了2025年制造新逆變器原型、2027年實現量產的計劃。

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