據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）數(shù)據(jù)顯示，2024年全球離子注入設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)276億元，預(yù)計(jì)到2030年將增長(zhǎng)至307億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為2.1%。其中，中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空間約160億元，展現(xiàn)出巨大的國(guó)產(chǎn)替代潛力。
3月26日，在SEMICON China 2025展會(huì)上，北方華創(chuàng)正式宣布進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場(chǎng)，并推出首款國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)Sirius MC 313。這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著北方華創(chuàng)在半導(dǎo)體核心裝備領(lǐng)域完成關(guān)鍵布局，為國(guó)產(chǎn)高端半導(dǎo)體設(shè)備的突破注入新動(dòng)力。
離子注入設(shè)備是芯片制造中的重要環(huán)節(jié)，雖然其關(guān)注度不如光刻機(jī)，但在半導(dǎo)體制造中卻不可或缺。該設(shè)備通過(guò)將特定元素的帶電離子以精確控制的能量注入半導(dǎo)體材料，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料電學(xué)性能的精準(zhǔn)調(diào)控。其技術(shù)流程包括離子源生成、電場(chǎng)加速以及精確注入等關(guān)鍵步驟，工藝復(fù)雜且技術(shù)壁壘較高。
北方華創(chuàng)此次推出的Sirius MC 313，不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高端離子注入設(shè)備的空白，還有望打破國(guó)際巨頭長(zhǎng)期以來(lái)的市場(chǎng)壟斷。隨著該設(shè)備的量產(chǎn)，北方華創(chuàng)將成為全球少數(shù)具備離子注入設(shè)備生產(chǎn)能力的供應(yīng)商之一，為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供重要支持。
行業(yè)專家認(rèn)為，此次布局將顯著提升中國(guó)在關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力，為下游芯片制造企業(yè)提供更多選擇，推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展。

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