紅魔電競平板評測：大屏幕硬實力
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2月下旬，美光科技宣布成為業內率先向合作伙伴提供基于EUV光刻技術的1γ制程第六代（10nm級）DDR5內存樣品的企業。不過，當時美光并未透露該制程使用EUV光刻的層數。
據《朝鮮日報》報道，美光此次送樣的1γ DDR5內存芯片僅采用了一層EUV光刻。美光這樣做的目的是通過減少EUV的使用，加快先進制程DRAM的量產速度，同時降低生產成本。
美光選擇減少對EUV的依賴，關鍵層更多地基于成熟的氬氟浸沒式光刻（ArFi）制程。雖然ASML的下代深紫外光刻（DUV）系統（193nm波長氬氟激光）可實現38nm特征尺寸圖案化，精確度比不上13.5nm波長的EUV，但勝在成本更低。
美光認為，EUV技術目前還未完全成熟，僅在必要時使用。從短期看，減少EUV使用能提升生產速度，但從長期來看，過多使用可能會影響芯片的良率和性能。
與美光不同，韓國的三星和SK海力士在DRAM生產上更依賴EUV制程。三星自2020年起就用EUV制程生產DRAM，其第六代1C 10nm級DRAM使用了超過五個EUV光刻層；SK海力士在2021年導入EUV制程，下一代1C 10nm級DRAM也采用類似策略。
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