SK 海力士正全力投入新一代低功耗內(nèi)存 LPDDR5M 的開發(fā)。LPDDR5M 的數(shù)據(jù)傳輸速率與現(xiàn)有的 LPDDR5T 一樣，達到 9.6Gbps，不過在能效上有重大提升。它的工作電壓從 1.01 - 1.12V 降低到 0.98V，能效提高了 8%。
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同時，SK 海力士在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域也有重要研發(fā)成果。現(xiàn)在，SK 海力士已經(jīng)進入 12 層堆疊 HBM4 的試產(chǎn)階段，良品率從去年底的 60% 提升到了 70%。這一成果得益于其采用 1β（b）nm（第五代 10nm 級別）工藝制造 DRAM 芯片，該工藝在性能和穩(wěn)定性上都經(jīng)過了充分驗證，并且也會用于 HBM3E 產(chǎn)品的生產(chǎn)。TXb28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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按照計劃，SK 海力士會在 2025 年 6 月向英偉達提供 HBM4 樣品，以滿足其 Rubin 架構(gòu)產(chǎn)品的需求。另外，SK 海力士預(yù)計今年下半年推出首批 12 層堆疊的 HBM4 產(chǎn)品，2025 年第三季度進入全面供應(yīng)階段，進一步穩(wěn)固其在高端內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位。TXb28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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