三星電子(Samsung Electronics)等主要存儲器業(yè)者,為應(yīng)對低迷景氣,2023年以來積極實施存儲器減產(chǎn)措施。不過據(jù)傳三星在DRAM領(lǐng)域已逐漸恢復(fù)生產(chǎn),NAND Flash則在維持減產(chǎn)基調(diào)的同時,以改善高端產(chǎn)品良率為目標。
根據(jù)韓媒Alphabiz報導(dǎo),三星自2023年9月初已恢復(fù)16納米(1z)DRAM生產(chǎn),稼動率達100%,傳將以16納米DRAM出發(fā),快速減少其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的減產(chǎn)規(guī)模。
知悉三星的業(yè)界相關(guān)人士表示,三星認為半導(dǎo)體景氣已經(jīng)觸底,因此以16納米DRAM恢復(fù)正常生產(chǎn)為起點,估計未來2~3個月內(nèi)將采取半導(dǎo)體產(chǎn)能恢復(fù)措施。對此三星表示,相關(guān)消息無法確認,減產(chǎn)中斷和產(chǎn)量恢復(fù)相關(guān)問題,可在下次財報發(fā)布會議中正式確認。
三星曾于2023年第2季財報發(fā)布會議中預(yù)告,2023年下半將以NAND為中心擴大減產(chǎn)。即便上述DRAM恢復(fù)生產(chǎn)消息屬實,因NAND需求相較DRAM更加不振,估計不會那么快調(diào)整減產(chǎn)策略。韓媒ZD Net Korea便指出,三星在積極減產(chǎn)NAND的同時,將目標放在改善高端產(chǎn)品良率。
三星電子自2023年11月開始量產(chǎn)八代V-NAND,但據(jù)悉量產(chǎn)初期良率并不理想,2023年上半低于50%,目前則上升至60%左右。業(yè)界相關(guān)人士表示,三星八代V-NAND良率每個月皆持續(xù)上升,雖然尚未步入正常水準80~90%,但改善速度相當快。
責任編輯:張興民
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