4 月 27 日消息,半導(dǎo)體 IP 企業(yè) M31 円(yuán)星科技本月 25 日宣布,其 eUSB2 PHY(IT酷哥注:物理層)IP 已在臺(tái)積電 2nm 制程節(jié)點(diǎn)完成設(shè)計(jì)定案,同時(shí)在 3nm 節(jié)點(diǎn)上的版本已完成硅驗(yàn)證。

eUSB2 是 USB 2.0 面向嵌入式應(yīng)用的 PHY 修訂版本,調(diào)整了信號(hào)電壓以適應(yīng)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)對(duì)電壓的更低耐受性同時(shí)具有更優(yōu)秀的能效;USB-IF 還為該規(guī)范推出了改進(jìn)的 v2 版,將速度上限提升到和 USB 3.2 Gen 1 接近的 4.8 Gbps。

M31 円星科技表示其 eUSB2 IP 解決方案已被多家全球領(lǐng)先的高階智能手機(jī)芯片與 AI 圖像處理應(yīng)用大廠廣泛采用。對(duì)于 eUSB2V2,該企業(yè)正積極開(kāi)發(fā)相關(guān) IP,布局臺(tái)積公司 N3 與 N2 制程技術(shù),進(jìn)一步擴(kuò)展完整的 eUSB2 解決方案平臺(tái)。
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