2023年Q2用戶偏好榜：12+256G版本成新主流
3月份的性能榜、性價(jià)比榜和好評(píng)榜之后，就要輪到2023年的第二季度偏好榜了，上半年的新機(jī)潮已經(jīng)過去，最明顯的肯定就是大內(nèi)存和存儲(chǔ)的機(jī)型了，另外部分中端機(jī)也取消了屏幕塑料支架
8TB，對(duì)于消費(fèi)級(jí)機(jī)械硬盤來說就已經(jīng)是非常可觀的容量了，當(dāng)它與超高性能的PCIe5.0會(huì)碰撞出什么樣的火花？這就是如約而至的三星品牌存儲(chǔ)旗艦級(jí)中的旗艦——9100 PRO 8TB固態(tài)硬盤。
三星憑借深厚的技術(shù)儲(chǔ)備和后發(fā)優(yōu)勢(shì)，3月份發(fā)布全新的旗艦產(chǎn)品9100 PRO再次奠定PCIe5.0固態(tài)硬盤的全新標(biāo)桿，同時(shí)還官宣“海納百川”的8TB超大容量，不僅擴(kuò)充了9100 PRO系列的產(chǎn)品線，也標(biāo)志著三星在大容量、高性能PCIe固態(tài)硬盤的道路上再邁關(guān)鍵一步。在8月份的Chinajoy2025展會(huì)上這款產(chǎn)品全球首展并讓現(xiàn)場(chǎng)的觀眾率先體驗(yàn)，以強(qiáng)大的產(chǎn)品力再次成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。
8TB對(duì)于普通消費(fèi)者來說還是個(gè)比較超前的容量，但它對(duì)諸多行業(yè)的意義遠(yuǎn)超想象，不僅能讓高級(jí)玩家存儲(chǔ)約80個(gè)3A大作（按照Steam年佳榜單前11款游戲平均90.6GB容量），更能讓影視、3D圖形等專業(yè)創(chuàng)作行業(yè)存儲(chǔ)更多的工作流文件。而AI時(shí)代對(duì)于存儲(chǔ)的需求更是日益劇增，例如圖像/視頻生成AI會(huì)產(chǎn)生大量的素材文件，本地部署的高精度大模型數(shù)量呈指數(shù)增長(zhǎng)。除此之外，以Copilot+ PC為代表的AI PC的Recall功能，為用戶提時(shí)間流式的使用回顧，而存儲(chǔ)這些精細(xì)化的快照需要4TB/8TB以上的存儲(chǔ)。因此，8TB超大容量可以說是一個(gè)全新的起點(diǎn)。
我們先瀏覽下三星9100 PRO 8TB的特點(diǎn)：
1、8TB超大容量，配備8GB LPDDR4X DRAM獨(dú)立緩存
2、順序讀寫性能高達(dá)14800MB/s和13400MB/s，與4TB版本一致
3、隨機(jī)讀寫性能高達(dá)2200K IOPS和2600K IOPS，與4TB版本一致
4、三星TurboWrite2.0技術(shù)帶來更高的SLC緩存空間
5、總寫入量高達(dá)4800TBW
6、散熱片版采用更高效的散熱片，兼顧與各類設(shè)備的兼容性，并針對(duì)索尼PlayStation5主機(jī)優(yōu)化
1 外觀一覽
三星9100 PRO 8TB固態(tài)硬盤標(biāo)準(zhǔn)版和散熱片版同步發(fā)售，外觀與之前評(píng)測(cè)過的4TB基本相同。
標(biāo)準(zhǔn)版正面標(biāo)簽的風(fēng)格與4TB版一致，產(chǎn)品型號(hào)、S/N碼、容量等信息一應(yīng)俱全。值得一提的是，由于增加了NAND FLASH芯片的數(shù)量，工作電流由4TB的2.9A提升至3.5A，長(zhǎng)時(shí)間滿負(fù)荷運(yùn)行建議搭配主板自帶的M.2散熱馬甲，或者選擇更高效散熱片版。
揭開正面的標(biāo)簽，可看到PCB正面采用1顆PCIe5.0主控芯片+1顆LPDDR4X DRAM獨(dú)立緩存芯片+2顆NAND FLASH芯片的布局，PCB的空位近乎布滿了貼片電容電阻，為整體穩(wěn)定運(yùn)行提供保障。
自研主控芯片代號(hào)Presto，采用5nm工藝制程和低功耗架構(gòu)打造，表面采用鍍鎳涂層，結(jié)合內(nèi)置的動(dòng)態(tài)散熱保護(hù)機(jī)制（DTG）和銅箔輔助散熱標(biāo)簽/包裹式散熱器，有效保障長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸。與之搭配的LPDDR4X DRAM獨(dú)立緩存芯片容量也提升至8GB，進(jìn)一步提升I/O效能，達(dá)到每1GB對(duì)應(yīng)1TB。
核心元件是NAND FLASH是三星第八代V-NAND TLC原廠芯片，與背面的兩顆一起構(gòu)成了8TB容量。
和1~4TB版本不同的是，三星9100 PRO 8TB采用雙面芯片設(shè)計(jì)，PCB背面也有兩顆NAND FLASH閃存芯片，銅箔導(dǎo)熱標(biāo)簽貼在對(duì)應(yīng)主控芯片和DRAM獨(dú)立緩存位置。
散熱片版的外觀與4TB基本相同，包裹式散熱片采用黑色磨砂噴涂工藝處理，邊緣有CNC精細(xì)處理的亮線，四道凹槽設(shè)計(jì)大幅增加了散熱面積，上面有三星品牌LOGO和Solid State Drive字樣，視覺效果非常大氣，整體感極強(qiáng)。
由于PCB采用雙面芯片設(shè)計(jì)，散熱片高度由1~4TB的8.8mm增加到11.25mm，但這個(gè)高度均衡了設(shè)備兼容性和散熱能力，不會(huì)與顯卡和CPU散熱器發(fā)生干涉，但部分高端主板可能需要拆掉M2固態(tài)硬盤位的底部導(dǎo)熱板才能安裝。除此之外還針對(duì)索尼PlayStation5游戲主機(jī)的硬盤艙深度進(jìn)行優(yōu)化，不會(huì)頂起蓋板。
標(biāo)簽貼紙散熱片背面，與標(biāo)準(zhǔn)版內(nèi)容基本一致。
2 產(chǎn)品信息
Crystal Disk info顯示，三星9100 PRO 8TB可用容量為8001.5GB，傳輸模式為PCIe5.0x4，26℃室溫下閑時(shí)溫度53℃，支持NVMe2.0標(biāo)準(zhǔn)，以及S.M.A.R.T、TRIM和VolatileWriteCache功能。其中VolatileWriteCache是NVMe協(xié)議中的一個(gè)特性，能減少延遲并提高寫入速度，本次測(cè)試我們使用的是散熱片版。
三星魔術(shù)師（Magician）功能豐富，支持三星品牌旗下所有的存儲(chǔ)產(chǎn)品。例如它可以顯示三星9100 PRO 8TB的序列號(hào)、固件版本信息，還能查看你的三星品牌存儲(chǔ)是否為正品。除此之外還能進(jìn)行固件升級(jí)、安全擦除等操作，強(qiáng)烈推薦大家安裝。
三星魔術(shù)師還能對(duì)存儲(chǔ)狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)控，例如可以看到三星9100 PRO 8TB總寫入數(shù)據(jù)量，以及某個(gè)時(shí)間段的溫度曲線，讓大家做到心中有數(shù)，堪稱是貼心管家。除此之外還具備性能測(cè)試功能，即使新手用戶也能輕松了解自己固態(tài)硬盤的性能。
另外，測(cè)試之前需要將性能模式調(diào)整為Full Performance Mode，以便發(fā)揮佳效能。如果平時(shí)使用可以設(shè)置為Standard Mode，如果用于游戲筆記本則可根據(jù)需求設(shè)置為Power Saving Mode。
3 基準(zhǔn)測(cè)試
本次測(cè)試，我們選擇AMD銳龍9和Intel第14代酷睿i9這兩套高端平臺(tái)，下面是詳細(xì)的配置。
作為一款容量升級(jí)產(chǎn)品，三星9100 PRO 8TB標(biāo)稱性能與4TB版一致，即14800MB/s和13400MB/s順序讀寫性能，以及2200K IOPS和2600K IOPS隨機(jī)性能。經(jīng)CrystalDisk Mark實(shí)測(cè)，順序讀寫速度達(dá)到14827.77MB/s和13389.99MB/s，與標(biāo)稱基本一致。
用于對(duì)比的TxBench測(cè)試結(jié)果顯示，三星9100PRO8TB順序讀寫速度達(dá)到14062.64MB/s和13628MB/s，基本達(dá)到“滿血PCIe5.0”水準(zhǔn)。隨機(jī)性能方面參考Crystal Disk Mark，達(dá)到2150K IOPS和1996K IOPS，一方面是由于測(cè)試軟件的隊(duì)列數(shù)和線程設(shè)置的差異，另一方面是PCIe5.0對(duì)于CPU的體質(zhì)和主板的電氣性能有較高要求。
固態(tài)硬盤容量的翻倍不僅能存儲(chǔ)更多的文件，三星專有TurboWrite2.0技術(shù)讓三星9100 PRO 8TB的SLC緩存空間理論上也實(shí)現(xiàn)了翻倍，大幅提升寫入效能。在專業(yè)軟件IOmeter中設(shè)置128KB數(shù)據(jù)塊和QD32隊(duì)列，經(jīng)過40分鐘的測(cè)試，一開始連續(xù)寫入速度穩(wěn)定在13100--13400MBps區(qū)間，53秒后SLC緩存用盡，閃存直接寫速度在1500--1900MB/s，測(cè)算空盤時(shí)SLC緩存高達(dá)2TB，這意味著在影視、AI應(yīng)用等數(shù)據(jù)密集型行業(yè)使用三星9100 PRO 8TB會(huì)更加高效。
待主控Trim1小時(shí)后，我們測(cè)試了下三星9100 PRO 8TB隨機(jī)寫入性能，IOmeter設(shè)置4KB數(shù)據(jù)塊和QD32隊(duì)列，測(cè)試時(shí)間45分鐘。從測(cè)試圖形可以看出，三星9100PRO的實(shí)力非常強(qiáng)悍，密集區(qū)間處于2450000~247000IOps，不僅全程測(cè)試沒有明顯的波動(dòng)，而且分散度非常低，可見隨機(jī)寫入性能依然是這款產(chǎn)品的強(qiáng)項(xiàng)。
雖然NAND FLASH芯片數(shù)量增加了一倍，但三星9100 PRO 8TB的功耗增加并不大，在smartmontools中可以看到有5種預(yù)設(shè)模式，全速運(yùn)行PS0--PS2模式高功耗為9.3W，但淺度睡眠PS3模式可低至0.05W，深度睡眠PS4模式更是低至0.007W，可見這款產(chǎn)品在性能和能耗均衡方面非常理想，用于游戲筆記本也不用擔(dān)心電池巡航的問題。
為了測(cè)試發(fā)熱控制情況，我們?cè)俅螆?zhí)行了20分鐘的IOmeter的128KB順序?qū)懭霚y(cè)試，讓三星9100 PRO散熱片版8TB進(jìn)入滿載狀態(tài)。從溫度曲線看高溫度為83℃，雖然比4TB高一點(diǎn)，但尚未觸發(fā)動(dòng)態(tài)散熱保護(hù)機(jī)制（DTG），因此重負(fù)荷使用場(chǎng)景建議使用散熱片版。
4 應(yīng)用模擬測(cè)試
基準(zhǔn)測(cè)試再次展示三星9100 PRO 8TB的性能的強(qiáng)大，接下來我們看看應(yīng)用模擬測(cè)試的表現(xiàn)。PCMARK10完整系統(tǒng)盤測(cè)試，將固態(tài)硬盤模擬成系統(tǒng)盤，測(cè)試操作系統(tǒng)啟動(dòng)、辦公和設(shè)計(jì)等場(chǎng)景下的表現(xiàn)，三星9100 PRO 8TB整體得分6308分，帶寬為986.79MB/s，平均存取時(shí)間為26μs。
3DMARK存儲(chǔ)基準(zhǔn)測(cè)試通過對(duì)三款游戲的載入、保存、安裝與錄制來評(píng)估固態(tài)硬盤的游戲性能。終三星9100 PRO 8TB的存儲(chǔ)基準(zhǔn)測(cè)試得分為5748分，平均帶寬為976.82MB/s，平均存取時(shí)間為31μs。其中《戰(zhàn)地風(fēng)云5》帶寬為1631.13MB/s，平均存取時(shí)間為46μs。由于PCMARK10和3DMARK在不同的硬件平臺(tái)跑分存在不小的差異，故這兩項(xiàng)成績(jī)僅供參考。
后是《終幻想：曦光旅路》（FINAL FANTASY XIV:Dawntrail）的Benchmark，它不僅能衡量不同顯卡的性能，還能直觀展示存儲(chǔ)設(shè)備的加載情況。
終三星9100 PRO 8TB得分19282，全部的轉(zhuǎn)場(chǎng)載入時(shí)間僅為6.246秒，極大降低了游戲加載的時(shí)間和場(chǎng)景轉(zhuǎn)換的延遲。
5 寫在后
現(xiàn)在消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤已正式進(jìn)入PCIe5.0時(shí)代，“滿血”性能已經(jīng)不是唯一的主題，數(shù)據(jù)密集型行業(yè)對(duì)于容量也提出更高的要求。
作為消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)行業(yè)的領(lǐng)軍品牌，三星PCIe5.0的固態(tài)硬盤的動(dòng)向深受業(yè)界和消費(fèi)者的同時(shí)關(guān)注，如約而至的9100 PRO 8TB，以5nm高性能主控芯片和第八代V-NAND TLC存儲(chǔ)芯片，帶來“海納百川的”容量和更高效的I/O表現(xiàn)，無論是追求速度的硬核玩家、需要高速渲染的內(nèi)容創(chuàng)作者，還是要求嚴(yán)苛的專業(yè)人士都能從中受益，更是AI時(shí)代理想存儲(chǔ)解決方案。
同時(shí)它還擁有高達(dá)4800TBW全盤寫入壽命、150萬小時(shí)平均故障間隔時(shí)間(MTBF)和5年質(zhì)保，再次成為旗艦級(jí)PCIe5.0固態(tài)硬盤的全新樣板。
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