全球存儲芯片龍頭SK海力士與英偉達即將達成新一代高帶寬存儲器(HBM4)的供應(yīng)協(xié)議,這款專為AI計算設(shè)計的核心組件預(yù)計將以每顆560美元的價格推向市場,較前代HBM3E漲幅超過50%。技術(shù)突破成為此次價格調(diào)整的核心支撐,HBM4的數(shù)據(jù)傳輸通道數(shù)量從HBM3E的1024個翻倍至2048個,同時通過在基底芯片中集成計算優(yōu)化與能效管理功能,顯著提升了AI設(shè)備的運算效率。
在生產(chǎn)策略上,SK海力士進行了重大調(diào)整。自HBM4項目啟動后,企業(yè)將基底芯片制造環(huán)節(jié)外包給臺積電,自身則集中資源攻克核心技術(shù)并優(yōu)化產(chǎn)能配置。這一變革在3月已現(xiàn)成效——全球首款12層堆疊HBM4樣品通過英偉達測試并獲得認可,6月起正式進入小批量供貨階段。據(jù)企業(yè)高管透露,價格上調(diào)既反映了制程工藝的進步,也涵蓋了原材料成本上升的客觀因素。
行業(yè)分析師指出,HBM4的高盈利能力將推動SK海力士明年HBM業(yè)務(wù)銷售額躍升至40-42萬億韓元(約合2084億元人民幣),營業(yè)利潤率預(yù)計達60%,僅該板塊即可貢獻25萬億韓元利潤。這種增長勢頭在通用存儲芯片領(lǐng)域同樣顯現(xiàn),9月DDR4價格六年來首次突破7美元,GDDR與低功耗DDR產(chǎn)品的市場價格也呈現(xiàn)快速攀升態(tài)勢。
需求端的爆發(fā)式增長成為價格走高的關(guān)鍵推手。隨著推理型AI應(yīng)用場景的持續(xù)拓展,存儲芯片供應(yīng)已出現(xiàn)明顯缺口,SK海力士明年的相關(guān)產(chǎn)能早在規(guī)劃階段即被預(yù)訂一空。預(yù)計到明年下半年,HBM4將全面取代HBM3E成為市場主流,推動企業(yè)HBM業(yè)務(wù)營收較今年增長40%-50%,整體營業(yè)利潤有望突破70萬億韓元大關(guān)。
本文鏈接:http://m.www897cc.com/showinfo-22-185736-0.htmlSK海力士牽手英偉達推HBM4,技術(shù)躍升價格漲超五成,業(yè)績前景可期
聲明:本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識,若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com
上一篇: 固態(tài)電池產(chǎn)業(yè)化進程加速 但大規(guī)模應(yīng)用仍需5至10年耐心守候