SiC是一種硬度與金剛石相近的半導體材料，由于其卓越的物理化學性能，如高耐壓、高頻率、高效率等，使得SiC在半導體制造領域具有巨大的應用潛力。然而，由于SiC的制備難度大，生產成本高，其廣泛應用一直受到限制。

近期，國內廠在主流6寸SiC長晶取得重大突破，包括功率元件龍頭英飛凌（Infineon）與山東天岳、天科合達簽約，并提前通過車規(guī)認證，以及SiC元件龍頭意法半導體（STM）與三安攜手建廠等。

近日，中國電子科技集團第二研究所（以下簡稱中電科二所）在SiC激光剝離設備研究方面取得了突破性進展。這一創(chuàng)新性的技術有望使SiC半導體器件的生產成本大幅降低，從而有望推動包括新能源汽車、光伏、智能電網等領域的科技進步。

據該項目的負責人介紹，SiC襯底是SiC器件成本的主要來源，占整個器件成本的45%左右。因此，通過這種方式，可以顯著降低SiC器件的生產成本。同時，由于SiC單晶的生長難度大，這種激光剝離技術還有望使單晶的利用率得到顯著提高。

目前歐、美、日SiC芯片廠供應仍占大宗。不過，歐、亞買家都出現采購策略大轉彎走勢，一是歐系IDM廠在料源取得漸朝「左擁歐美、右抱國內」方向邁去；其次，是亞洲客戶依賴與歐美料源廠比重，呈現有感下降，主要是國內廠支持力愈來愈強。

國內SiC芯片廠進展明顯，而國內廠與歐美料源廠間的距離，當下該如何形容？

目前看來，國內長晶廠具代表性仍以山東天岳、天科合達、爍科、同光。磊晶包括瀚天天成等，三安則是都概括；2023年初，亦有國內一線車廠欲大步擴張上游SiC長晶，但實際擴產未如預期；臺系廠長晶則包括環(huán)球晶、泛富士康的盛新、漢磊、穩(wěn)晟等。

中電科突破性的研究成果無疑將為中國半導體產業(yè)的發(fā)展注入新的活力。未來，隨著SiC半導體器件成本的降低和性能的提升，其在新能源汽車、光伏、智能電網等領域的應用將進一步擴大，從而有力地推動這些領域的科技進步。同時，這也標志著中國在半導體制造領域的研究已經進入了一個新的階段。

在全球半導體市場上，SiC材料的短缺一直是制約相關產業(yè)發(fā)展的關鍵因素。而中電科二所的這一研究突破，不僅為中國的半導體產業(yè)提供了強大的技術支持，也打破了國際上對于SiC材料制備技術的壟斷。這將為中國的半導體產業(yè)帶來極大的競爭優(yōu)勢。tff28資訊網——每日最新資訊28at.com