印度登月最關(guān)鍵一步！月船三號今晚進入環(huán)月軌道
8月5日消息，據(jù)印度官方消息，月船三號將于北京時間今晚21時30分左右開始近月制動進入環(huán)月軌道。這是該探測器能夠成功的最關(guān)鍵步驟之一，如果成功將開始圍
快科技10月20日消息，據(jù)報道，三星計劃加大對極紫外（EUV）光刻設(shè)備的投資，購買新一批EUV光刻設(shè)備。
其中，存儲部門將部署五套專用標準EUV設(shè)備，以建立獨立生產(chǎn)線，三星位于平澤的晶圓代工廠和存儲生產(chǎn)線此前曾共用EUV設(shè)備。
同時三星將為晶圓代工部門新增兩套新的High NA EUV設(shè)備，三星計劃在2025年底和2026年初分別交付一套，用于其2nm制程的全面生產(chǎn)，其中一套將部署在華城廠區(qū)，另一套則可能部署在泰勒晶圓廠。
數(shù)據(jù)顯示，一套標準EUV設(shè)備的成本約為3000億韓元（約合人民幣15億元），而一套High NA EUV設(shè)備的成本約為5500億韓元（約合人民幣28億元）。
因此，三星在EUV方面的總支出約為2.6萬億韓元，這也彰顯了其在2nm晶圓代工領(lǐng)域的雄心。
High NA EUV光刻機是下一代芯片制造的關(guān)鍵技術(shù)，與傳統(tǒng)EUV相比，它能提供1.7倍更精細的電路圖案和2.9倍更高的晶體管密度，光學(xué)精度提升了40%。
這對于生產(chǎn)密度更高、更節(jié)能、性能更強大的2nm代工芯片以及先進存儲產(chǎn)品（如垂直通道晶體管DRAM和第六代HBM4）至關(guān)重要。
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