Redmi Pad評測：紅米充滿野心的一次嘗試
從Note系列到K系列，從藍(lán)牙耳機(jī)到筆記本電腦，紅米不知不覺之間也已經(jīng)形成了自己頗有競爭力的產(chǎn)品體系，在中端和次旗艦市場上甚至要比小米新機(jī)的表現(xiàn)來得更好，正所謂“大丈夫生居
最近，國產(chǎn)SiC設(shè)備又傳來振奮人心的消息——北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機(jī)實現(xiàn)了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術(shù)突破。
據(jù)了解，該技術(shù)已經(jīng)在SiC襯底制備段及器件背面減薄段實現(xiàn)了小批量應(yīng)用，并且獲得了頭部企業(yè)的一致認(rèn)可，而且新的減薄機(jī)協(xié)同SiC激光改質(zhì)剝離切割技術(shù)，可以大幅降低SiC襯底成本和工時。
眾所周知，SiC襯底制備挑戰(zhàn)極大，尤其是切磨拋關(guān)鍵環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的砂漿線等切割及研磨技術(shù)發(fā)展較為成熟，但存在加工效率低、材料損耗大、自動化程度低、面型一致性差等問題，從而導(dǎo)致SiC襯底難以降低成本，阻礙了SiC器件的廣泛采用。
砂漿線切割技術(shù)不足
加工時間對比
SiC襯底切磨拋環(huán)節(jié)路線對比
WG-1250碳化硅自動減薄機(jī)和WG-1261碳化硅全自動減薄機(jī)
最近，北京中電科公司自研的6/8英寸WG-1250碳化硅（晶錠）自動減薄機(jī)、WG-1261碳化硅（晶片）全自動減薄機(jī)核心技術(shù)指標(biāo)均取得了關(guān)鍵性突破，6/8英寸SiC減薄后厚度均勻性TTV≤2μm（晶片）/TTV≤3μm（晶錠）；翹曲度（WARP）≤30μm（晶片）；表面彎曲程度（BOW）≤±15μm（晶片）；UPH≥4片/小時（激光剝離面@單面去除80μm），UPH≥7片/小時（多線切割面@雙面去除各70μm），這些技術(shù)指標(biāo)的突破與設(shè)備產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著北京中電科公司駛?cè)隨iC襯底、SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的快車道。
SiC晶片/晶錠減薄前后及實驗數(shù)據(jù)
據(jù)了解，該公司是在原有6英寸SiC自動減薄機(jī)和12英寸Si晶圓全自動減薄機(jī)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化大功率低振動氣浮主軸和高剛度高精度氣浮載臺設(shè)計，突破晶圓厚度分區(qū)域自動控制技術(shù)、晶錠厚度（≤5cm）自動測量技術(shù)、不同厚度晶錠同臺同時加工技術(shù)及磨削/進(jìn)給自動快速迭代技術(shù)等，不斷優(yōu)化激光改質(zhì)剝離切割后的晶錠/晶片磨削工藝。
此外，北京中電科還聯(lián)合鄭州三磨所進(jìn)行粗、細(xì)、精等金剛石磨輪耗材的工藝適配，克服了SiC材料磨不動不好磨、晶圓面型控制精度差、磨輪損耗大與匹配性差等問題，滿足了6/8英寸雙尺寸、高質(zhì)量的減薄需求，受到頭部企業(yè)的一致認(rèn)可。
自主可控的SiC減薄用關(guān)鍵核心零部件
北京中電科公司表示，他們這次推出的WG-1250碳化硅（晶錠）自動減薄機(jī)、WG-1261碳化硅（晶片）全自動減薄機(jī)，可聯(lián)合國產(chǎn)激光改質(zhì)剝離切割、晶亦精微SiC專用CMP、太原風(fēng)華SiC缺陷檢測等設(shè)備，助力國產(chǎn)6英寸SiC襯底制造的核心裝備局部成線能力快速躍升。他們始終以更快、更準(zhǔn)、更精為導(dǎo)向，從更精尖技術(shù)、更優(yōu)越性能和更穩(wěn)定工藝等多維度持續(xù)優(yōu)化SiC減薄設(shè)備，助力我國SiC襯底快速邁進(jìn)8英寸時代。
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