K60至尊版剛預熱 一加Ace2 Pro正面硬剛
Redmi這邊剛如火如荼的宣傳了K60 Ultra的各種技術和硬件配置，作為競品的一加也坐不住了。一加中國區總裁李杰發布了兩條微博，表示在自家的一加Ace2上早就已經采用了和PixelWo
英飛凌科技股份公司（以下簡稱“英飛凌”）與英飛源技術（深圳）有限公司（以下簡稱“英飛源”）宣布達成合作，將共同拓展新能源汽車充電市場。英飛凌將為英飛源提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體元件，以提升電動汽車充電站的效率。
英飛凌的CoolSiC MOSFET是基于碳化矽（SiC）的功率半導體，具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢。這種元件能夠大幅提高充電效率，加快充電速度，為電動汽車車主創造更好的用戶體驗。
英飛源是國內新能源汽車充電市場的領軍企業，一直致力于提供高效、可靠的電動汽車充電解決方案。此次合作將進一步加強英飛源在新能源汽車充電市場的領先地位。
由于擁有高功率密度，SiC適用于開發高效能、輕量且緊湊的充電解決方案，這對超級充電站及超緊湊壁掛式直流充電樁尤為有益。SiC技術相比傳統的矽技術可將電動汽車充電站的效率提高1%，從而降低了能耗和營運成本。以一座100 kW的充電站為例，這意味著節省1 kWh電能，每年節省270歐元成本，以及減少3.5噸碳排放。這將大幅推動SiC功率元件在電動汽車充電模塊中的應用。
作為最早將溝槽閘技術用于晶體管的SiC功率半導體制造商之一，英飛凌推出了幫助提高充電解決方案可靠性的先進設計。這些元件具有高閾值電壓，并簡化了閘極驅動。CoolSiC MOSFET技術在上市前已通過馬拉松應力試驗及閘極電壓跳變應力試驗，并在上市后定期進行監控，以確保擁有最高閘極可靠性。
采用英飛凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飛源的30 kW直流充電模塊能夠實現寬恒功率范圍，高功率密度，最小電磁輻射和干擾，高保護效能，以及高可靠性。這使其不僅能夠滿足大多數電動汽車的快速充電需求，還能實現比市場上的其他解決方案高出1%的效率。這有助于大幅降低能耗和碳排放，達到全球領先水準。
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