SpringBoot中使用Cache提升接口性能詳解
環境：springboot2.3.12.RELEASE + JSR107 + Ehcache + JPASpring 框架從 3.1 開始，對 Spring 應用程序提供了透明式添加緩存的支持。和事務支持一樣，抽象緩存允許一致地使用各
Transphorm，氮化鎵（GaN）功率半導體的領先供應商，近日宣布推出業內首款采用頂部散熱的TOLT氮化鎵晶體管。這款新品TP65H070G4RS，是Transphorm的SuperGaN? FET系列中的一員，導通電阻僅為72毫歐。它采用了JEDEC標準的TOLT封裝，是首個此類封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。
TP65H070G4RS利用了Transphorm強大的650 V常閉型d-mode氮化鎵平臺，這一平臺在效率上優于硅、碳化硅和其他氮化鎵產品。SuperGaN平臺的優勢與TOLT封裝更好的散熱性及系統組裝靈活性相結合，為電源系統客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。
Transphorm正與全球多個高功率GaN合作伙伴展開合作，包括服務器和存儲電源領域的領先客戶。新品的發布進一步豐富了Transphorm的產品線，彰顯了其以不同封裝形式器件支持客戶應用的市場承諾。
本文鏈接：http://m.www897cc.com/showinfo-27-35464-0.htmlTransphorm推出首款頂部散熱TOLT氮化鎵晶體管
聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
上一篇： 增長率極低，美光DRAM業績不容樂觀
下一篇： SKMP成功研發高厚度KrF光刻膠
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權所有 sitemap.xml
違法及侵權請聯系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網安備 12010102000574號