據(jù)了解,閃存模組可以分為以下三種類型:
1. 固態(tài)硬盤(pán),主要應(yīng)用于大容量存儲(chǔ)場(chǎng)景,其內(nèi)部主要由主控芯片和NAND Flash顆粒組成。
2. 嵌入式存儲(chǔ),主要應(yīng)用于電子移動(dòng)終端低功耗場(chǎng)景。
3. 移動(dòng)存儲(chǔ),如U盤(pán)、移動(dòng)盤(pán)等,主要應(yīng)用于便攜式存儲(chǔ)場(chǎng)景。
此外,根據(jù)不同類型存儲(chǔ)器的主控芯片,閃存模組還可以分為以下幾種:
1. NAND Flash 顆粒,主要起數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與讀寫(xiě)作用,按照密度差異可以分為SLC、MLC、TLC、QLC、PLC,主要應(yīng)用于不同場(chǎng)景。
2. DRAM 顆粒(主要存在于中高端 SSD),可提高輸入/輸出性能和耐用性,用于臨時(shí)保存從閃存讀取的數(shù)據(jù)、要寫(xiě)入閃存的數(shù)據(jù)或地址映射表。目前,中低端的新品 SSD為節(jié)省成本選擇不配備 DRAM 顆粒,采用 HMB (Host Memory Buffer,主機(jī)內(nèi)存緩沖技術(shù))技術(shù)和主機(jī)共享內(nèi)存,也可滿足使用要求。
DRAM模組,作為個(gè)人電腦和服務(wù)器等設(shè)備中的關(guān)鍵內(nèi)存組件,主要負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。它由多個(gè)部分組成,核心部分是DRAM顆粒,它占據(jù)了模組成本的絕大部分,負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。
SPD Hub(串行檢測(cè)集線器)也是DRAM模組的重要組成部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)內(nèi)存模組的相關(guān)信息和參數(shù)配置,管理對(duì)外部控制器的訪問(wèn),并將內(nèi)部總線的內(nèi)存負(fù)載與外部分離。這樣,模組能夠更有效地處理外部訪問(wèn)請(qǐng)求,并確保內(nèi)存的穩(wěn)定運(yùn)行。
PMIC(電源管理芯片)則負(fù)責(zé)電源的轉(zhuǎn)化和管理,為其他芯片提供電源支持。在DDR5內(nèi)存條中,PMIC被集成在內(nèi)存模組上,而在此前的版本中,PMIC是放在主板端的。這種改變降低了主板的復(fù)雜性,提高了兼容性和信號(hào)完整度,并減少了噪音。
在服務(wù)器(企業(yè)級(jí))的DRAM模組中,還需要增加內(nèi)存接口芯片(RCD寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器+DB數(shù)據(jù)緩沖器)和TS(溫度傳感器)。接口芯片(RCD+DB)的主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問(wèn)的速度及穩(wěn)定性,以匹配CPU日益提高的運(yùn)行速度及性能。TS(溫度傳感器)則負(fù)責(zé)對(duì)內(nèi)存條的溫度進(jìn)行監(jiān)控,從而更精細(xì)地控制系統(tǒng)散熱。
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