據韓媒ZDNet Korea報道，三星電子計劃在韓國華城園區新建第六代1c DRAM量產線，預計最快于2025年底開始投資。此舉表明三星對其良率提升充滿信心。
三星此前已在平澤廠推進1c DRAM的量產計劃。據傳，2025年初，三星將在平澤第四園區（P4）建立首條1c DRAM量產線，初期月產能約為3萬片，規模較小。隨后，三星計劃在2025年下半年進一步擴大P4園區的1c DRAM產能，預計月產能將增至至少4萬片。此外，華城17產線也有望在2025年底前啟動1c DRAM的轉換投資，目前正與相關協力廠協商具體計劃。
華城17產線目前主要生產第三代10納米級1z DRAM，但其生產比重正在快速下降。三星此前已在華城15產線和16產線完成了1b DRAM的轉換投資。
1c DRAM是三星新一代高帶寬存儲器（HBM）HBM4的核心元件。與競爭對手SK海力士和美光在HBM4中采用1b DRAM不同，三星計劃使用1c DRAM以優化產品性能。這對其在HBM市場中爭奪主導權具有重要意義。
韓國半導體業界人士透露，三星內部對1c DRAM的良率提升持積極態度，目標是在2025年第三季度取得PRA（內部量產準備批準）。盡管后續仍需解決諸多課題才能實現量產，但設備投資計劃正在穩步推進中。

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