5月16日，鎵仁半導體與德國氧化鎵外延頭部企業NextGO.Epi簽署全球戰略合作協議。雙方將結合各自的技術優勢，共同聚焦超寬禁帶半導體材料氧化鎵的研發與產業化，推動其在新能源與電力電子等領域的應用突破，為全球半導體產業注入新活力。
資料顯示，NextGO.Epi成立于2025年，專注于高品質β-Ga?O?（氧化鎵）外延片的大規模制造，為高功率和光電探測應用提供關鍵材料支持。該公司是德國萊布尼茨晶體生長研究所（IKZ）孵化的企業，由周大順博士、Andreas Popp博士和Andreas Fiedler博士共同創立，總部位于德國柏林。
圖源：鎵仁半導體——圖為NextGO Epi 坐落于德國柏林萊布尼茨晶體研究所
鎵仁半導體作為一家專注于寬禁帶半導體材料研發、生產和銷售的科技型企業，近年來在氧化鎵領域取得了顯著成果。公司自主研發的鑄造法單晶生長技術，實現了從2英寸到8英寸氧化鎵單晶襯底的快速升級，創造了每年提升一個尺寸的行業紀錄。此外，鎵仁半導體還開發了國內首臺包含工藝包的氧化鎵專用VB長晶設備，并已全面對外銷售。

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