安世半導(dǎo)體近期宣布推出采用D2PAK-7封裝的車規(guī)級(jí)1200V碳化硅MOSFET。這些器件此前已推出工業(yè)級(jí)版本,如今通過AEC-Q101認(rèn)證,可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車的車載充電器(OBC)、牽引逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)等領(lǐng)域。

圖源:安世半導(dǎo)體
安世半導(dǎo)體指出,RDS(on)是衡量SiC MOSFET性能的關(guān)鍵指標(biāo),其值直接影響導(dǎo)通損耗。然而,隨著工作溫度上升,RDS(on)的標(biāo)稱值可能增加100%以上,從而導(dǎo)致較高的導(dǎo)通損耗。與傳統(tǒng)通孔技術(shù)相比,采用表面貼裝器件(SMD)封裝時(shí),溫度穩(wěn)定性尤為重要,因?yàn)槠骷柰ㄟ^PCB散熱。安世半導(dǎo)體通過創(chuàng)新工藝技術(shù),顯著提升了新型SiC MOSFET的溫度穩(wěn)定性。在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi),其RDS(on)標(biāo)稱值僅增加38%,表現(xiàn)優(yōu)于行業(yè)平均水平。
此次推出的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET系列產(chǎn)品,其RDS(on)值分別為30mΩ、40mΩ和60mΩ。此外,安世半導(dǎo)體還計(jì)劃在2025年推出17mΩ和80mΩ RDS(on)的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET,進(jìn)一步豐富產(chǎn)品線。
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