據(jù)VLSI 2025最新披露的資料顯示，英特爾進(jìn)一步公開(kāi)了其Intel 18A制程的詳細(xì)信息。這一制程采用了RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管（GAA）技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電流的精準(zhǔn)控制，同時(shí)引入了業(yè)界首創(chuàng)的PowerVia背面供電技術(shù)。
根據(jù)英特爾官網(wǎng)此前的介紹，PowerVia技術(shù)可將芯片密度和單元利用率提升5%至10%，并顯著降低電阻供電下降問(wèn)題，從而使ISO功率性能提升高達(dá)4%。與Intel 3工藝節(jié)點(diǎn)相比，Intel 18A的每瓦性能提升了15%，芯片密度提高了30%。此外，Intel 18A還提供了高性能（HP）和高密度（HD）庫(kù)，具備全面的技術(shù)設(shè)計(jì)功能和優(yōu)化的設(shè)計(jì)易用性。
在PPA（性能、功耗、面積）對(duì)比中，Intel 18A在標(biāo)準(zhǔn)Arm內(nèi)核子塊上，于1.1V電壓下實(shí)現(xiàn)了25%的速度提升和36%的功耗降低。同時(shí)，該工藝在面積利用率上優(yōu)于Intel 3，表明其在面積效率和更高密度設(shè)計(jì)方面具有潛力。
資料中還包含一張“電壓下降”圖，展示了Intel 18A在高性能條件下的穩(wěn)定性。得益于PowerVia技術(shù)，該工藝能夠提供更穩(wěn)定的電力輸送。此外，供電電路庫(kù)對(duì)比顯示，背面供電技術(shù)使英特爾實(shí)現(xiàn)了更緊湊的供電電路封裝，從而提高了面積效率。
據(jù)KeyBanc Capital Markets分析師John Vinh透露，Intel 18A的關(guān)鍵性能指標(biāo)（包括良率和缺陷密度）正朝著積極方向發(fā)展，且處于可接受水平。英特爾工程經(jīng)理Pankaj Marria今年3月也曾在LinkedIn上發(fā)文稱，Intel 18A制程已實(shí)現(xiàn)重要里程碑，團(tuán)隊(duì)在亞利桑那州完成了首批生產(chǎn)。
根據(jù)計(jì)劃，Intel 18A將由英特爾的PC處理器Panther Lake首發(fā)搭載，服務(wù)器處理器Clearwater Forest也將采用該工藝。預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品將在2025年下半年推出，2026年正式上市。若良率穩(wěn)定，Intel 18A有望成為臺(tái)積電2nm制程的有力競(jìng)爭(zhēng)者。

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