據(jù)報(bào)道，富士康研究院半導(dǎo)體所近期與陽明交通大學(xué)及德州大學(xué)奧斯汀分校展開跨國合作，成功在第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。相關(guān)研究成果已發(fā)表于國際權(quán)威期刊《Applied Surface Science Advances》和《ACS Applied Electronic Materials》。
第四代半導(dǎo)體主要指超寬能隙（UWBG）材料，例如鉆石、AlN、β-Ga?O?等。這類材料因其能隙大于3.4 eV，在高功率、高頻和高溫環(huán)境下展現(xiàn)出優(yōu)異性能，遠(yuǎn)超前三代半導(dǎo)體材料。研究團(tuán)隊(duì)聚焦于β-氧化鎵，其超寬能隙（4.8~4.9 eV）和高崩潰電場強(qiáng)度（8 MV/cm）使其在高功率電子元件領(lǐng)域具備顯著優(yōu)勢。
富士康研究院半導(dǎo)體所所長郭浩中表示，此次技術(shù)突破體現(xiàn)了富士康在高壓、高頻元件研發(fā)領(lǐng)域的深厚積累。未來，這些成果將為通訊及高功率技術(shù)領(lǐng)域帶來深遠(yuǎn)影響。研究團(tuán)隊(duì)還通過精確的材料設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了模擬與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的高度一致，為后續(xù)量產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
陽明交通大學(xué)教授洪瑞華補(bǔ)充道，研究不僅提升了β-Ga?O?元件的電流驅(qū)動(dòng)能力和耐壓性，還通過優(yōu)化生長參數(shù)與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，為未來高功率電子產(chǎn)業(yè)應(yīng)用開拓了新方向。
據(jù)悉，富士康研究院計(jì)劃進(jìn)一步優(yōu)化β-Ga?O?的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制程技術(shù)，推動(dòng)全球高功率電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

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