據韓媒ChosunBiz援引業界消息，三星電子晶圓代工事業部在第六代高帶寬存儲器（HBM4）邏輯晶粒的測試生產中，取得了超過40%的良率。這一成果被認為具有重要意義，尤其是在三星正努力追趕競爭對手的背景下。
業內人士指出，初期測試生產良率超過40%已屬不俗成績。相比之下，采用4納米制程的百度芯片在初期測試生產時，良率僅約15%。三星半導體暨裝置解決方案（DS）部門負責人全永鉉對這一進展表示認可，并鼓勵團隊繼續優化生產效率。此次生產過程中，三星大量引入了新工藝以提升效率。
目前，在第五代HBM3E市場上，三星的主導地位已被SK海力士和美光取代。然而，三星正全力投入HBM4邏輯晶粒的生產。這種邏輯晶粒采用先進制程，不僅性能更強，還能滿足全球大型IT企業的定制化需求。與SK海力士和美光依賴臺積電不同，三星憑借自有晶圓代工技術占據一定優勢。
三星HBM4的成功與否，很大程度上取決于其存儲器事業部開發的10納米級第六代1c DRAM。HBM4產品將由12層堆疊的邏輯晶粒和1c DRAM組成。如果三星能夠穩定量產1c DRAM，將有望在性能上超越SK海力士的前一代1b DRAM產品。
封裝技術是另一大關鍵挑戰。三星采用了一種名為先進非導電薄膜熱壓縮（TC-NCF）的封裝方式，這種方式與SK海力士的技術有所不同。然而，如何有效控制發熱仍是三星需要解決的問題。業界認為，三星未來的主要任務是穩定DRAM生產并持續改進封裝技術。
三星能否在HBM4市場實現反超，仍需觀察其后續表現。

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